F7484-VB: 40V 10A N-Channel Trench MOSFET for Synchronous Rectif...

F7484-VB是一款由VBSEMI公司生产的SOP8封装的N-Channel场效应MOS管，它具有独特的Trench FET®技术，旨在提供高效能和可靠性。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC的要求，对环境友好。 2. **性能参数**： - 驱动电压范围广：工作在±20V的栅源电压（VGS）下。 - 高持续电流能力：在25°C时，连续漏极电流可达9A（ID），并且在150°C结温下也有所保证。 - 低导通电阻：在10V和20V的栅源电压下，RDS(ON)分别为14mΩ和更低，这有助于降低开关损耗。 - 高侧应用：适用于同步整流、功率因数校正（POL）、输入/输出电容（IBC）等高效率电路。 - 优秀的热管理：最大功耗密度控制在合理的范围内，且在不同温度条件下，如25°C和70°C，有明确的功率限制。 3. **安全特性**： - 经过100% Rg和UISTest验证，确保器件在高温下的稳健表现。 - 防止雪崩击穿：最大脉冲漏极电流（IDM）为15A，雪崩能量为11mJ，保证了在极端条件下的可靠运行。 - 源极-漏极二极管电流（S）也有限制，对于连续工作有2.1A的规格。 4. **封装与尺寸**：SOP8封装，适合表面安装，占用1"x1" FR4板空间，具有紧凑型设计。 5. **温度范围**：操作和存储温度范围宽广，从-55°C到+125°C，适应各种应用场景的需求。 6. **符号与极限值**：参数表提供了详细的电流、电压和功率限制，以及相应的测试条件，如时间常数t=10s，以及在不同温度下的限制。 F7484-VB是一款适用于高性能电子应用的高效率N-Channel MOSFET，其出色的热管理、低阻抗特性及环保设计使之成为众多工业设备和电源解决方案的理想选择。在实际应用中，需确保遵循制造商提供的参数指导，以保证最佳性能和安全性。