电子束蒸发法制备PZT薄膜的生长与特性研究

该篇论文《PZT薄膜的制备及特性 (2007年)》主要探讨了用电子束蒸发法在单晶硅(n-Si(100))基板上制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)多晶薄膜的过程，并深入研究了薄膜的表面形态、结晶特性以及红外吸收性能随生长温度和退火温度变化的关系。作者任玉磊、谢东珠和忻云龙通过实验发现，提高生长温度有利于(101)方向晶粒的优选生长，而较高的退火温度则能够促使(101)方向的晶粒转变为(110)方向，这导致(110)取向的薄膜对长红外波段的吸收能力显著增强。论文的关键技术包括扫描电子显微镜(SEM)用于观察表面形貌，以及X射线衍射(XRD)分析晶体结构。研究结果对于优化PZT薄膜的性能，特别是在高频声波滤波器、微电子机械系统和非致冷红外传感器等领域应用具有重要意义。此外，文章还提到了PZT薄膜的压电性和铁电性，以及其在非挥发性随机存储器中的实际应用。该研究是在上海市教育委员会科学研究项目的资助下进行的，展示了电子束蒸发镀膜技术在高熔点材料如PZT薄膜制备中的优势。 PZT薄膜作为钙钛矿型材料，其优异的压电性和热释电性使其在多个领域具有广阔的应用前景。论文的贡献在于提供了一种通过精确控制生长温度和退火条件来调控PZT薄膜性能的方法，这对于薄膜技术的发展和实际应用具有指导意义。通过这项研究，科研人员可以更好地理解影响PZT薄膜性能的关键因素，从而设计出具有特定性能特性的薄膜，以满足不同领域的技术需求。