NandFlash驱动开发与移植指南

"该资源为‘nand_flash驱动编写与移植.pdf’，主要讲述了NandFlash的工作原理，芯片特性，以及驱动的编写与移植相关知识，适用于S3C2410平台，涉及NandFlash控制器和存储芯片K9F1208U0B的介绍。" NandFlash是一种非易失性存储技术，广泛应用于嵌入式系统和移动设备中。在S3C2410平台上，NandFlash作为外设，通过其内置的NandFlash控制器与外部存储芯片K9F1208U0B交互。该芯片拥有64MB的存储容量，采用块页式存储结构，其中8个I/O引脚同时承担数据、地址和命令的传输任务。 NandFlash的存储层次结构为：一个设备由4096个块组成，每个块包含32页，每页大小为528字节，包括512字节的数据区域和16字节的Out-of-Band（OOB）区域。OOB区域在数据操作完成后用于存储状态信息，其中第六字节标记是否为坏块，而前3个字节通常保存硬件ECC码以检测和纠正错误。 在NandFlash的操作中，有以下几个关键特点： 1. 擦除操作是最小单位，以块为基本单元进行。 2. 数据写入时，只能将1变为0，不能将0变为1，因此写入前需先擦除相应块。 3. OOB区域的第六字节用于标识坏块，非坏块时值为FF。 4. ECC码通常存储在OOB的前三个字节，用于数据校验。 在硬件接口方面，NandFlash的重要引脚包括I/O0到I/O7，它们是复用引脚，可以用于数据、地址和命令的输入输出；CLE是命令锁存允许引脚，负责发送命令；ALE是地址锁存允许引脚，用于发送地址信息；CE则是芯片选择信号，当低电平时选中NandFlash芯片。 编写NandFlash驱动时，需要理解这些基本原理，并适配S3C2410的NandFlash控制器。驱动的主要任务包括初始化控制器，配置时序，处理读写操作，擦除操作，以及错误检查与恢复等。移植驱动时，要考虑目标平台的硬件差异，如地址映射、中断处理和总线时序等。此外，还需实现与上层文件系统的接口，使得应用程序能够透明地读写NandFlash中的数据。理解和掌握NandFlash的工作原理及其驱动编写是嵌入式系统开发中不可或缺的一部分。