DMN2075UW-7-F-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"DMN2075UW-7-F-VB是一款由VBsemi公司生产的N-Channel沟道场效应MOSFET，采用SOT23封装，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。该器件具有低漏电阻（RDS(ON)），在不同栅极电压下表现出良好的电流处理能力，并符合RoHS标准。" DMN2075UW-7-F-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET，其主要特性包括： 1. **TrenchFET® Power MOSFET技术**：该MOSFET采用了 trench 技术，通过在硅片上形成深沟槽结构，提高了器件的开关速度和效率，降低了导通电阻。 2. **低漏电阻(RDS(ON))**：在VGS=4.5V时，RDS(ON)仅为24毫欧，这意味着在导通状态下，器件的内部电阻非常小，能有效降低功率损失和提高系统效率。 3. **额定电压与电流**：MOSFET能承受的最大漏源电压(VDS)为20V，连续漏极电流(ID)在150°C时可达到6A，而在70°C时则为5.1A，这使得它适合于处理较高的工作电压和电流。 4. **栅极阈值电压(Vth)**：该器件的栅极阈值电压范围在0.45~1V之间，意味着在低于这个电压时，MOSFET将不会导通，有助于控制开关状态。 5. **RoHS兼容性**：产品符合RoHS指令2002/95/EC，不含卤素，满足环保要求。 6. **脉冲电流能力**：最大脉冲漏极电流(IDM)为20A，表明它在短时间内可以处理较大的电流峰值。 7. **源漏二极管**：连续源漏二极管电流(IS)在25°C时可达1.75A，提供了反向电流流通的能力。 8. **热特性**：最大结温(TJ)可达到150°C，但持续工作时的最大功率耗散(PD)需根据环境温度调整，如在25°C时为2.1W，在70°C时则降低至1.3W。 9. **封装与尺寸**：SOT23封装紧凑小巧，适合表面贴装在1"x1"FR4板上。 DMN2075UW-7-F-VB是适合于需要高效、低损耗、小型化电源管理解决方案的电子设备，如便携式设备的DC/DC转换器和负载开关应用。由于其出色的电气特性和紧凑的封装，它在设计时可以提供更高的集成度和性能优化。