TI-ISO5452-Q1：汽车电子用高CMTI隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
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更新于2024-06-29
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TI-ISO5452-Q1是一款由德州仪器（Texas Instruments）推出的隔离式IGBT和MOSFET栅极驱动器，特别适用于汽车电子应用。该器件满足AEC-Q100标准，确保其在极端环境条件下的可靠性。其主要特性包括：
1. 温度等级和电磁兼容性：器件工作在-40°C至125°C的温度范围内，符合1级环境运行温度标准。此外，它具有良好的电磁兼容性，共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为50kV/μs，典型值达到100kV/μs，在VCM=1500V时。
2. 隔离输出与电流能力：TI-ISO5452-Q1具有分离的输出，可以提供2.5A的峰值拉电流和5A的峰值灌电流，确保了高效能的驱动能力。
3. 快速响应时间：短暂传播延迟仅为76ns（典型值），最大值不超过110ns，这意味着驱动器能快速响应输入信号，实现精确的开关控制。
4. 保护功能：该驱动器内置2A有源米勒钳位，可防止过大的栅极电流，同时具备输出短路钳位，以保护电路在短路情况下免受损害。另外，它还具有短路期间的软关断(STO)功能，以降低关断时的冲击。
5. 故障检测与报警：在检测到去饱和故障时，通过FLT引脚发出故障报警，并可以通过RST引脚进行复位操作，增强了系统的故障处理能力。
6. 电源管理：TI-ISO5452-Q1具有输入和输出欠压锁定(UVLO)功能，当电压低于阈值时，通过就绪(RDY)引脚发出指示，确保系统在稳定电压下工作。
7. 有源输出：驱动器的有源输出设计可以更精确地控制半导体开关的开启和关闭，提高系统性能。
这款驱动器结合了高性能隔离、强大的保护机制以及汽车电子应用所需的耐受性，是汽车电源管理和电机控制等领域的理想选择。配合德州仪器提供的数据表、样本购买、技术文档、工具软件及社区支持，用户可以获取全面的技术支持和服务。
8
ISO5452-Q1
ZHCSFJ9 –SEPTEMBER 2016
www.ti.com.cn
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
(1) I
IH
for IN-, RST pin is zero as they are pulled high internally.
(2) I
IL
for IN+ is zero, as it is pulled low internally.
7.9 Electrical Characteristics
Over recommended operating conditions unless otherwise noted. All typical values are at T
A
= 25°C, V
CC1
= 5 V,
V
CC2
– GND2 = 15 V, GND2 – V
EE2
= 8 V
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
VOLTAGE SUPPLY
V
IT+(UVLO1)
Positive-going UVLO1 threshold voltage
input side (V
CC1
– GND1)
2.25 V
V
IT-(UVLO1)
Negative-going UVLO1 threshold voltage
input side (V
CC1
– GND1)
1.7 V
V
HYS(UVLO1)
UVLO1 Hysteresis voltage (V
IT+
– V
IT–
)
input side
0.2 V
V
IT+(UVLO2)
Positive-going UVLO2 threshold voltage
output side (V
CC2
– GND2)
12 13 V
V
IT-(UVLO2)
Negative-going UVLO2 threshold voltage
output side (V
CC2
– GND2)
9.5 11 V
V
HYS(UVLO2)
UVLO2 Hysteresis voltage (V
IT+
– V
IT–
)
output side
1 V
I
Q1
Input supply quiescent current 2.8 4.5 mA
I
Q2
Output supply quiescent current 3.6 6 mA
LOGIC I/O
V
IT+(IN,RST)
Positive-going input threshold voltage (IN+,
IN-, RST)
0.7 x V
CC1
V
V
IT-(IN,RST)
Negative-going input threshold voltage
(IN+, IN-, RST)
0.3 x V
CC1
V
V
HYS(IN,RST)
Input hysteresis voltage (IN+, IN-, RST) 0.15 x V
CC1
V
I
IH
High-level input leakage at (IN+)
(1)
IN+ = V
CC1
100 µA
I
IL
Low-level input leakage at (IN-, RST)
(2)
IN- = GND1, RST = GND1 -100 µA
I
PU
Pull-up current of FLT, RDY V
(RDY)
= GND1, V
(FLT)
= GND1 100 µA
V
OL
Low-level output voltage at FLT, RDY I
(FLT)
= 5 mA 0.2 V
GATE DRIVER STAGE
V
(OUTPD)
Active output pull-down voltage I
(OUTH/L)
= 200 mA, V
CC2
= open 2 V
V
(OUTH)
High-level output voltage I
(OUTH)
= –20 mA V
CC2
- 0.5 V
CC2
- 0.24 V
V
(OUTL)
Low-level output voltage I
(OUTL)
= 20 mA V
EE2
+ 13 V
EE2
+ 50 mV
I
(OUTH)
High-level output peak current
IN+ = high, IN- = low,
V
(OUTH)
= V
CC2
- 15 V
1.5 2.5 A
I
(OUTL)
Low-level output peak current
IN+ = low, IN- = high,
V
(OUTL)
= V
EE2
+ 15 V
3.4 5 A
I
(OLF)
Low level output current during fault
condition
130 mA
ACTIVE MILLER CLAMP
V
(CLP)
Low-level clamp voltage I
(CLP)
= 20 mA V
EE2
+ 0.015 V
EE2
+ 0.08 V
I
(CLP)
Low-level clamp current V
(CLAMP)
= V
EE2
+ 2.5 V 1.6 2.5 3.3 A
V
(CLTH)
Clamp threshold voltage 1.6 2.1 2.5 V
SHORT CIRCUIT CLAMPING
V
(CLP_OUTH)
Clamping voltage
(V
OUTH
- V
CC2
)
IN+ = high, IN- = low, t
CLP
= 10 µs,
I
(OUTH)
= 500 mA
1,1 1.3 V
V
(CLP_OUTL)
Clamping voltage
(V
OUTL
- V
CC2
)
IN+ = high, IN- = low, t
CLP
= 10 µs,
I
(OUTL)
= 500 mA
1.3 1.5 V
V
(CLP_CLAMP)
Clamping voltage
(V
CLP
- V
CC2
)
IN+ = high, IN- = low, t
CLP
= 10 µs,
I
(CLP)
= 500 mA
1.3 V
Clamping voltage at CLAMP IN+ = High, IN- = Low, I
(CLP)
= 20 mA 0.7 1.1 V
V
(CLP_OUTL)
Clamping voltage at OUTL
(V
CLP
- V
CC2
)
IN+ = High, IN- = Low, I
(OUTL)
= 20
mA
0.7 1.1 V
DESAT PROTECTION
I
(CHG)
Blanking capacitor charge current V
(DESAT)
- GND2 = 2 V 0.42 0.5 0.58 mA
I
(DCHG)
Blanking capacitor discharge current V
(DESAT)
- GND2 = 6 V 9 14 mA
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