创新800V高压SPP11N80C3 CoolMOSTM Power Transistor技术特性

本文档介绍了一款名为"C476111_N沟道800V11A_2020-01-15"的高性能功率晶体管，具体型号是SPP11N80C3，它属于CoolMOSTM Power Transistor系列。这款器件采用革命性的高电压技术，专为工业应用设计，特别适合需要处理高直流电压的场景，例如开关应用中的主动钳位前向模式。 其主要特性包括： 1. **创新技术**：产品基于最新的高电压技术，旨在提供卓越的性能和可靠性。 2. **高耐压与电流能力**：能够承受高达800V的直流偏置电压，峰值电流能力高达11A，确保在极端工作条件下仍能稳定运行。 3. **标准认证**：符合JEDEC标准，适用于目标应用，表明其经过严格测试和验证。 4. **环保合规**：采用无铅封装，并且符合RoHS规范，减少对环境的影响。 5. **低导通损耗**：具有极低的栅极充电电荷，有效降低功耗。 6. **低寄生电容**：减少开关损耗，提高效率。 7. **应用场景**：特别设计用于工业应用，尤其适用于需要处理大电流和高电压的直流电路。 8. **电气参数**： - 持续漏电流（ID）在25°C时可达11A，而在100°C下有所限制。 - 高脉冲漏电流（ID,pulse）在25°C时可承受特定能量等级。 - 单脉冲和重复性雪崩能量（EAS、EAR）以及雪崩电流（IAR）都给出了具体的数值。 - dv/dt抗扰度高，能在高达640V的VDS电压变化下保持稳定。 - 静态栅源电压（VGS）范围宽，满足不同工作条件。 - 功率损耗（Ptot）在25°C时可控制在一定范围内。 - 温度规格：操作温度范围-55°C至150°C，存储温度范围更广。 - 安装扭矩要求：M3或M3.5螺丝，规定了紧固力矩值。 C476111_N沟道800V11A是一款高性能、低损耗的800V MOSFET，为工业级高电压应用提供了可靠的选择，尤其在需要高耐受性和效率的开关电源或电机控制等场合中，它的优势将得以体现。