DMC2038LVT-7-F-VB: SOT23-6封装N/P沟道高性能MOSFET

DMC2038LVT-7-F-VB是一款高性能的双极型Trench FET（沟槽场效应晶体管）MOSFET，采用先进的SOT23-6封装形式。这款器件具有显著的环保特性，符合IEC 61249-2-21标准，以及RoHS指令2002/95/EC的要求，确保了无卤素材料的使用。 N+P沟道设计使得该MOSFET适用于广泛的电压范围，包括正向20V和反向-20V。在典型工作条件下，当VGS为+10V时，N沟道的RDS(on)低至0.022Ω，而在4.5V下，RDS(on)提升到0.036Ω。P沟道的表现分别为：正向VGS=-10V时RDS(on)=0.030Ω，反向VGS=-4.5V时为0.079Ω。这表明它在高效率和低导通电阻方面表现出色。 在热性能方面，产品经过了100% Rg测试，确保了稳定的工作性能。对于连续电流，N沟道在25°C下的最大值为5A，而P沟道为-3.4A，考虑到温度上升，70°C时会有所下降。脉冲电流限制（IDM）和连续源电流(IS)也都有明确的规定。在25°C下，最大功率损耗为1.15W，随着温度升高，会降至0.73W。 该器件的温度范围宽广，从-55°C到150°C，包括操作温度TJ和储存温度Tstg。值得注意的是，散热性能良好，其典型和最大Junction-to-Ambient热阻分别为93°C/W和110°C/W，在短时间内（t≤5s）和稳定状态下分别达到130°C/W和150°C/W。 SOT23-6封装使得DMC2038LVT-7-F-VB适用于小型化应用，且有清晰的引脚标注，便于电路板布局。整体而言，这款MOSFET是设计者在需要高效率、紧凑尺寸和严格环保要求的电路中理想的选择。