HM半导体N沟道逻辑级增强型功率MOSFET D9570N技术规格

"华镁MOS D9570N是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET，具备超级低栅极电荷、100% EAS保证、绿色设备选项、卓越的CdV/dt下降特性和先进的高密度沟槽技术。" 华镁MOS的D9570N是一款高性能的N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET，主要应用于同步降压转换器。这款器件采用高密度沟槽技术，确保了优秀的漏源导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性，使其在电源管理领域具有较高的效率。其设计满足RoHS和绿色产品的要求，并且100%通过了EAS测试，确保了全功能的可靠性。 D9570N的关键参数包括： - BVDSS：最大漏源电压，为40V，这意味着在正常工作条件下，器件可以承受的最大电压为40V，超过这个值可能会导致器件损坏。 - ID@VGS=10V, TC=25°C：在栅极电压为10V和环境温度为25°C时，最大连续漏电流为60A。这表示在这些条件下，MOSFET可以安全地处理的最大电流。 - RDSON(MAX)：在不同的栅极电压和电流下，RDSON有不同的值。例如，当VGS=4.5V，ID=20A时，RDSON为18mΩ；而VGS=10V，ID=20A时，RDSON降低到10mΩ。较低的RDSON意味着更低的功耗和更高的效率。 封装信息显示，D9570N采用TO-252（DPAK）封装，该封装小巧且散热性能良好。设备标记为"D9570N"，每卷的宽度为16mm，长度为325mm，每卷包含2500个器件。 热特性方面，RθJC（结壳热阻）为2.0℃/W，表示每瓦功耗会导致芯片温度升高2.0℃。这一数值对评估器件在大电流工作时的热管理至关重要。 总结起来，D9570N是一款适用于电源管理应用的高性能MOSFET，其低栅极电荷和优化的RDSON特性使得它在高效能电源转换系统中表现出色。此外，其环保属性和严格的可靠性测试确保了其在实际应用中的稳定性和长期可靠性。