AT45DB014D中文详解：4Mbits数据闪存技术规格

"这篇文档是关于AT45DB014D的中文说明，由王兵洋翻译，基于ATMEL公司2009年4月的英文文档《3595O–DFLASH–04/09》。AT45DB014D是一款4Mbits的数据闪存，适用于2.5V/2.7V的电压环境，具有高速串行接口，最大时钟频率可达66MHz，兼容SPI模式0-3。该器件提供了用户可配置的页大小，可以选择256Bytes或264Bytes，并且可以出厂预设。其特性包括灵活的编程和擦除选项，如页编程、页擦除、块擦除、扇区擦除和整片擦除。此外，它有两个SRAM数据缓存用于在编程过程中接收数据，支持连续读取整个序列，以减少应用程序中的代码需求。该设备还具备低功耗特性，在不同状态下有不同的电流消耗，并且拥有软硬件数据保护功能，包括128-byte的安全寄存器。每个页面有100,000次以上的编程/擦除寿命，数据可保持20年以上，适用于工业级温度范围，且采用绿色封装。" AT45DB014D是一款高性能的串行数据闪存芯片，主要特点包括： 1. **电压范围**：支持2.5V至3.6V的单一电源供电，这使其适用于各种低电压系统。 2. **高速串行接口**：与SPI兼容，最高时钟频率可达66MHz，适合高速数据传输场景。 3. **可配置页大小**：用户可以根据需求选择256Bytes或264Bytes的页大小，便于不同大小的数据存储。 4. **灵活编程与擦除**：提供页编程、页擦除（256Bytes）、块擦除（2KBytes）、扇区擦除（64KBytes）和全片擦除（4Mbits）功能，适应多种存储需求。 5. **SRAM数据缓存**：内置两个缓存，256Bytes或264Bytes，可以在编程期间接收数据，确保数据处理的连续性。 6. **连续读取能力**：能连续读取整个数据序列，减少程序中的复杂性。 7. **低功耗设计**：在读取、备用和深度掉电模式下具有低电流消耗，分别为7mA、25uA和15uA。 8. **数据保护**：具备软硬件数据保护机制，允许创建个人扇区，同时有128-byte的安全寄存器，其中64-byte可供用户编程，64-byte为唯一的设备标识。 9. **耐久性**：每个页面至少可承受100,000次的编程/擦除循环，确保了长期稳定的数据存储。 10. **长期数据保留**：数据能够在芯片内保持20年以上，保证了数据的持久性。 11. **工作温度范围**：符合工业级标准，可在广泛的温度范围内正常工作。 12. **环保封装**：采用绿色材料封装，符合环保要求。 这款芯片广泛应用于需要大量数据存储和高速访问的场合，如嵌入式系统、音频/图像处理、以及需要频繁更新代码的智能设备。其出色的性能和灵活性使其成为许多电子设计的理想选择。