FDSS2407-NL-VB: 60V双N-Channel高功率MOS管, 低导通电阻

FDSS2407-NL-VB是一款由VBSEMI公司生产的双极型场效应晶体管（Dual N-Channel 60V MOSFET），采用先进的Trench FET技术，特别适合高电压、大电流的应用场景。这款SOP8封装器件提供了两个独立的N-Channel沟道，每个通道都具有出色的性能指标。 该器件的主要特点包括： 1. **耐压能力**：每个MOSFET的栅源电压范围可达±20V，能够承受高达60V的 Drain-Source（DS）电压，确保在各种工作条件下保持稳定性能。 2. **电流容量**：在125°C时，每个通道的连续漏极电流ID可达7A，而在室温下，这个值更高。当电源电压VGS为10V时，RDS(on)（漏极导通电阻）为27mΩ，表明其在低电压下的开关损耗较小。 3. **阈值电压**：每个MOSFET的阈值电压Vth为1.5V，这是开启导电状态的必要条件。 4. **封装和尺寸**：采用了紧凑的SOP8封装，方便在小空间内集成，同时考虑了脉冲测试条件，如脉宽限制在300μs，占空比不超过2%。 5. **可靠性测试**：所有器件经过100%的Rg和UI测试，确保了产品的高质量和稳定性。 6. **热管理**：产品有严格的最高功率损耗限制，如在25°C时最大功率PD为4W，而125°C时降至1.3W。此外，还提供了Junction-to-Ambient热阻RthJA的热设计指导，帮助用户在PCB设计时合理散热。 7. **温度范围**：该器件的工作温度范围从-55°C到+175°C，存储温度范围更宽，保证了在极端环境下的长期可靠运行。 8. **脉冲安全特性**：单脉冲 avalanche电流和能量等级也给出了相应的安全极限，确保在过载条件下的保护。 FDSS2407-NL-VB是适用于高电压、大电流应用的理想选择，它结合了高性能、低损耗和良好的散热特性，为设计师提供了强大的电路保护和效率优化选项。在实际应用中，需根据具体的系统需求和工作条件，仔细评估并确保符合设备的限制和推荐操作规范。