优化的Ag5In5Sb47Te33薄膜短波长记录特性研究

本文主要探讨了Ag5In5Sb47Te33薄膜在短波长记录性能方面的特性。作者通过使用自制的实验装置，对这种薄膜的静态记录性能进行了深入研究，重点关注了记录激光的功率和脉冲宽度对其效果的影响。研究发现，只有当记录激光的功率和脉宽处于特定范围内时，才能有效地进行信息记录，记录形成的畴形貌清晰，表现为非晶态的Ag5In5Sb47Te33薄膜。在这个优化区域内，记录畴的反射率对比度较高，有利于信息的读取。 当激光能量小于这个范围时，材料结构的变化较小，记录畴形貌变得模糊，反射率对比度较低，不足以支持有效的信息记录，可能低于2%。反之，如果激光功率过大，记录过程可能导致烧蚀区域的形成，记录畴由烧蚀区和周围非晶态材料构成，这不利于存储介质的稳定性和信息持久性。 特别值得注意的是，研究人员确定了最佳的记录条件，即激光功率为12毫瓦，脉冲宽度为90纳秒，此时Ag5In5Sb47Te33薄膜的记录畴反射率对比度达到22%，记录畴的直径保持在380纳米至400纳米之间。这一结果对于提升光盘存储技术的存储密度至关重要，因为它利用了短波长激光和高数值孔径透镜，有助于缩小记录区域，从而实现更高的存储密度。 本文的工作对于理解AgInSbTe薄膜在光存储中的作用以及优化其记录性能有着重要意义，对于推动相变光存储材料的研究和发展具有实用价值。此外，文中还提到了课题组在短波长光存储材料研究上的持续努力，显示出其在信息技术快速发展的背景下，对于高性能存储解决方案的探索与追求。