FTD2017-VB：TSSOP8封装双N沟道MOSFET技术参数

"FTD2017-VB是一款采用TSSOP8封装的双N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产。这款MOSFET具备环保选项，采用TrenchFET技术，提供高性能和低电阻特性。" FTD2017-VB是一款双通道的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），每个通道都封装在TSSOP8的小型化封装中，适合在电路板上进行表面安装。这种封装设计有助于节省空间并提高电路密度。 关键特性包括： 1. 提供无卤素选项，符合绿色环保标准。 2. 应用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上刻蚀出深沟槽来降低导通电阻，从而提高效率和开关性能。 3. 具有两个独立的N沟道MOSFET通道，每个通道的电气参数如下： - 在VGS = 4.5V时，RDS(on)为0.022Ω，表明在正常工作条件下，器件的内阻非常低，能有效降低功率损耗。 - 在VGS = 2.5V时，RDS(on)为0.032Ω，即使在较低的栅极电压下，仍保持良好的导通性能。 4. 持续漏源电压(VDS)的最大额定值为25V，确保了在正常操作中的稳定性。 5. 持续漏极电流(ID)在不同温度下的额定值：在25°C时为6.6A，70°C时为5.5A，展示了其在不同环境温度下的电流承载能力。 6. 短脉冲漏极电流(IDM)最大为30A，适用于瞬态高电流需求。 7. 连续源电流(IS)的最大值在1.5A至1.0A之间，用于二极管导通模式。 8. 最大功率耗散(PD)在25°C时为1.5W，70°C时为0.96W，限制了器件可以安全处理的总功率。 9. 工作和存储的结温范围为-55°C到150°C，适应广泛的应用环境。 热性能方面，FTD2017-VB具有以下热阻： - 最大结温至环境的热阻(RthJA)在短暂脉冲下为72°C/W，在稳态下为100°C/W，这决定了器件在散热条件下的温度上升。 - 结温至脚部（漏极）的热阻(RthJF)在稳态下为55°C/W至70°C/W，对器件的热管理有一定指导意义。 FTD2017-VB是一款适用于需要高效、低内阻和双通道控制的电源管理应用的MOSFET，特别适合在紧凑空间和高电流需求的电路设计中使用。