集成电路基础器件：去除杂质与工艺详解

集成电路是现代电子技术的核心组成部分，本文主要介绍了集成电路基础器件加工中去除两种不同类型的杂质——分子型和离子型/原子型杂质的过程。首先，对于分子型杂质，如硅片表面的油脂，使用H2SO4和H2O2按照1:1的比例混合，进行烧煮，以促使油脂脱附。这是一种化学清洗方法，利用化学反应清除不希望在硅片上存在的物质。 去除离子型和原子型杂质涉及到更为复杂的溶液处理。第一种是Ⅰ号液，由NH4OH、H2O2和H2O按1:1:6的体积比配置，通过加热煮沸后倒掉溶液，用去离子水多次冲洗，确保杂质被清除。第二种是Ⅱ号液，由HCl、H2O2和H2O配制，煮沸时间更长，需经过长时间的离子水冲洗以彻底清洁。 文章还提到了双极型（BIPOLOR）和MOSIC（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）这两种常见的集成电路工艺。双极型IC工艺包括平面三极管工艺，强调了掺杂窗口形成、光刻工艺、扩散或离子注入等步骤，以及埋层工艺以减少集电极串联电阻。而MOSIC工艺则着重于栅型MOSFET的制造，涉及CMOS和NMOS工艺，以及它们各自的流程。 此外，集成电路的发展历史也简要回顾了从最早的晶体管到集成电路器件的演变，展示了关键年份和技术里程碑。基础工艺部分详细列出了清洗、氧化、扩散、光刻、蒸发镀膜和腐蚀等步骤，这些是集成电路制造过程中不可或缺的技术环节。 本文深入浅出地讲解了集成电路制造中的关键技术细节，包括杂质去除和不同工艺流程，对于理解集成电路的基础知识和工艺流程具有重要价值。