衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜性能的影响及优化

"衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜制备的影响 (2012年) - 四川大学学报(自然科学版)，程四兴等人" 本文是2012年发表在《四川大学学报(自然科学版)》上的一篇科研论文，主要探讨了衬底温度如何影响CdTe/ZnTe多层薄膜的制备及其性质。研究人员采用射频磁控溅射技术来制备这些薄膜，并基于单层CdTe和ZnTe薄膜的制备基础，深入研究了衬底温度变化对多层薄膜结构和性能的影响。 实验结果显示，在185℃的衬底温度下，制备的CdTe和ZnTe多层薄膜表现出强烈的(111)晶面择优取向。ZnTe的这种取向尤为显著，其X射线衍射强度极高。这表明在该温度下，薄膜的结晶质量得到了优化，有利于形成更稳定的晶格结构。通过对不同衬底温度下的样品进行比较，发现185℃条件下生长的薄膜具有最强的衍射峰，这意味着其薄膜的质量最佳，晶格排列更加有序。 此外，吸收谱分析进一步证实了185℃下制备的薄膜对光有良好的吸收性能，这是太阳能电池应用中非常重要的一个特性。较高的光吸收能力意味着薄膜能更有效地将光能转化为电能，从而提高太阳能电池的效率。 CdTe/ZnTe多层薄膜因其特殊的光学和电学性质，常被用于太阳能电池领域。选择合适的衬底温度对于优化薄膜的结构和性能至关重要。在本研究中，185℃被确认为一个理想的生长温度，可以有效控制薄膜的晶体生长方向，增强其光学吸收，从而提升器件的整体性能。 关键词涉及的技术包括磁控溅射法，这是一种利用磁场增强的溅射沉积技术，可以精确控制薄膜的成分和厚度。CdTe和ZnTe是两种重要的II-VI族半导体材料，它们在光伏技术中具有广泛应用，尤其是作为薄膜太阳能电池的活性层。而衬底温度作为制备过程中的一大关键参数，对最终薄膜的物理特性和器件性能有着显著影响。 这篇论文详细阐述了衬底温度对CdTe/ZnTe多层薄膜生长和性能的调控作用，为优化薄膜太阳能电池的设计提供了重要的理论依据和实验参考。