SSM3J36FS-VB：P沟道SC75-3封装高性能MOS管

本文档介绍了一款名为SSM3J36FS-VB的P沟道SC75-3封装MOSFET，它属于TrenchFET®系列的功率MOSFET器件。这款MOSFET的主要特点是快速开关速度，适用于便携式设备中的负载/电源开关、驱动继电器、电磁铁、显示器等应用，尤其适合电池供电系统。 首先，让我们关注其技术规格。该MOSFET支持高达20V的 Drain-Source（D-S）电压，确保了在不同工作条件下稳定的性能。在VGS（Gate-Source）电压为-4.5V时，RDS(on)（漏源电阻）典型值为0.45Ω；随着VGS降低，如-2.5V时RDS(on)降至0.50Ω，而在-1.8V时进一步减小到0.60Ω。此外，该MOSFET具有低的阈值电荷Qg（典型值为nC），有助于减少存储电荷的影响。 在极限条件方面，该器件的最大连续导通电流（TA=25°C）在室温下为-0.55A，在70°C时降为-0.45A。对于短脉冲下的最大允许电流（t=300μs），IDM限制在-1.8A。在正常工作状态下，连续源-漏二极管电流IS保持在-0.16A。最大功率损耗在室温和70°C时分别为0.19W和0.12W。 温度特性是该MOSFET的重要参数。它的操作和储存温度范围从-55°C到+150°C，确保了器件在各种环境条件下的稳定运行。值得注意的是，其热阻RthJA（junction-to-ambient thermal resistance）在短时间内（t≤5s）为440°C/W，而长时间的稳态条件下则为540°C/W，最大值可达530°C/W。 此外，该产品已通过100%的R测试，表明其质量可靠。SSM3J36FS-VB适合表面安装，且建议在1"x1"FR4板上使用，如果在5秒内不超过650°C/W的功率密度，该MOSFET能提供良好的散热性能。 最后，产品型号SSM3J36FS和制造商VB的网址www.VBs可供用户查询更多详细信息和购买。SSM3J36FS-VB是一款高效、快速开关且适应各种应用场景的P沟道MOSFET，对于设计者来说，它是构建高性能电子电路的理想选择。