使用Vue.js进行能带结构计算与图形绘制

本文档主要介绍了使用Vasp软件进行能带结构计算及作图的步骤，特别是针对石墨烯这一材料。它详细列举了所需的关键输入文件，包括INCAR、POSCAR、KPOINTS，以及如何修改这些文件以适应能带计算的要求。同时，文档还提供了石墨烯优化计算的相关参数设置。 在进行能带结构计算时，首先要确保拥有正确的输入文件。这些文件包括INCAR、POSCAR、POTCAR、KPOINTS、CHG和CHGCAR。在静态计算完成之后，需要在一个新创建的文件夹（例如gap）中复制这些文件，并进行适当的修改。 1. INCAR文件的修改是能带计算的关键。在进行能带计算时，通常会将ISTART设置为0，表示开始新的计算；ICHARG设置为11，这表示从WAVECAR文件中读取电子态密度；NSW设为1000，以确保足够的交换关联步数；ISMEAR通常设为0，以获取更精确的结果。 2. POSCAR文件的处理相对简单，只需将静态计算后的CONTCAR文件重命名为POSCAR，即可作为能带计算的初始结构。 3. KPOINTS文件需要特别注意，因为它决定了布里渊区的采样点。对于能带结构计算，通常需要手动设置KPOINTS文件，比如给出特定的路径，如G-M-K-G，以覆盖感兴趣的高对称点。 在石墨烯的优化计算部分，文档也详细列出了INCAR文件的各个参数及其意义： - ISTART=0，表示开始新的计算。 - ICHARG=2，表示从头开始计算电荷密度。 - NELM=100，设置最大电子自洽循环次数。 - NSW=1000，指定最大离子步数，用于结构优化。 - ISMEAR=-5，选择Marzari-Vanderbilt冷态 smearing 方法，适合于金属和半导体系统。 - SIGMA=0.2，设置smearing宽度，影响SCF收敛速度。 此外，还有其他参数如ISYM（决定是否使用对称性）、ISIF（控制计算类型，包括应力张量和晶胞变化的自由度）等，它们在不同的计算场景中都有其作用。 总结起来，这个文档提供了Vasp进行能带结构计算的具体步骤，以及石墨烯优化计算的参数设置，对于理解和执行这类计算非常有帮助。通过理解这些参数的作用，用户可以更好地调整计算设置，以获得所需的结果。