英飞凌IPB031N08N5 80V MOSFET中文规格书：高效开关与低阻特性

英飞凌(INFINEON) IPB031N08N5是一款80V的OptiMOSTM功率晶体管，专为高频开关和同步整流应用设计，具有出色的性能参数。这款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）具有以下特点： 1. **高频率开关与同步整流能力**：IPB031N08N5适合在高速操作环境中，如高频电子开关和同步整流电路中提供高效能。 2. **低导通电阻（RDS(on)）**：该器件具有非常低的导通阻抗，有助于减少开关损耗，提高效率。 3. **优秀的栅极充电特性（FOM）**：栅极电荷与导通阻抗的乘积较低，这意味着在给定的开关频率下，它能保持更低的功率损耗。 4. **N沟道、正常级**：适用于电压控制的N型半导体结构，工作在正常电压范围内。 5. **高可靠性**：经过100%的雪崩测试，确保在过载条件下也能稳定工作，符合JEDEC标准1)。 6. **环保合规**：采用无铅工艺，符合RoHS规范，并且按照IEC61249-2-21标准提供无卤素材料。 7. **电气规格**： - 最大集电极电压 (VDS): 80V - 最大导通电阻 (RDS(on),max): 3.1mΩ - 集电极电流 (ID): 120A - 开关损耗 (Qoss): 82nC - 栅极电荷 (QG(0V..10V)): 69nC 8. **封装与标识**：该器件采用D²PAK封装，型号代码为PG-TO263-3，产品序号为031N08N5，没有额外的标记信息。 9. **认证与文档**：符合J-STD20和JESD22标准，数据表包括了完整的描述、性能参数和使用注意事项。 10. **版本信息**：这是Rev. 2.0版本，发布日期为2014年12月17日，为最终数据手册。 IPB031N08N5是一款高性能、环保且可靠性高的80V OptiMOS晶体管，适用于对低导通损耗和高频率响应有严苛要求的应用场合。在设计电路时，应仔细参考上述规格和性能参数，以确保其在实际系统中的最佳表现。