XP151A13A0MR-VB: N沟道20V SOT23封装场效应管
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更新于2024-08-03
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XP151A13A0MR-VB是一款N沟道场效应晶体管,属于高性能的Trench FET® Power MOSFET系列。它采用SOT23封装,这是一种小型、轻便的封装形式,适合于对空间效率有较高要求的应用。该器件的主要特点是:
1. **环保特性**:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素,符合RoHS指令2002/95/EC,降低了对环境的影响。
2. **性能参数**:
- 阻断电压(VDS)为20V,确保在正常工作范围内提供稳定的电压控制。
- 在典型条件下,当栅极电压VGS为4.5V时,持续导通电流(ID)达到6A,而在70°C下,电流略有下降。
- 耗散功率(PD)在25°C时可达到2.1W,但在高温下会有所限制。
- 为了保护晶体管,最大脉冲电流(IDM)为20A,连续源-漏二极管电流(IS)在25°C时约为1.75A。
3. **温度范围**:这款场效应管适用于宽广的工作温度,从-55°C到150°C,包括操作和存储温度。
4. **应用领域**:
- 适合于直流-直流转换器(DC/DC Converters),这种设备通常需要高效能和紧凑的组件。
- 作为便携式设备中的负载开关,能够高效切换负载电流。
5. **封装与安装**:
- SOT-23封装,便于在小型电路板上表面安装,如1"x1" FR4板,且已测试了100%的电阻率(Rg)。
6. **注意事项**:
- 需要注意的是,某些参数在特定温度和时间条件下(如5秒内5s,t=5s)测量,例如在5s内测得的动态导通电阻值。
- 最大稳态条件下,热耗散功率为125°C/W,建议在指定的温度范围内进行设计。
XP151A13A0MR-VB场效应管凭借其高效的性能、小型封装和环保特性,是电源管理和便携式设备中广泛应用的理想选择。在集成到电路设计时,需仔细考虑其工作温度、电流能力和安全限制。
2024-01-08 上传
2024-07-04 上传
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