XP151A13A0MR-VB: N沟道20V SOT23封装场效应管

XP151A13A0MR-VB是一款N沟道场效应晶体管，属于高性能的Trench FET® Power MOSFET系列。它采用SOT23封装，这是一种小型、轻便的封装形式，适合于对空间效率有较高要求的应用。该器件的主要特点是： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，无卤素，符合RoHS指令2002/95/EC，降低了对环境的影响。 2. **性能参数**： - 阻断电压（VDS）为20V，确保在正常工作范围内提供稳定的电压控制。 - 在典型条件下，当栅极电压VGS为4.5V时，持续导通电流（ID）达到6A，而在70°C下，电流略有下降。 - 耗散功率（PD）在25°C时可达到2.1W，但在高温下会有所限制。 - 为了保护晶体管，最大脉冲电流（IDM）为20A，连续源-漏二极管电流（IS）在25°C时约为1.75A。 3. **温度范围**：这款场效应管适用于宽广的工作温度，从-55°C到150°C，包括操作和存储温度。 4. **应用领域**： - 适合于直流-直流转换器（DC/DC Converters），这种设备通常需要高效能和紧凑的组件。 - 作为便携式设备中的负载开关，能够高效切换负载电流。 5. **封装与安装**： - SOT-23封装，便于在小型电路板上表面安装，如1"x1" FR4板，且已测试了100%的电阻率（Rg）。 6. **注意事项**： - 需要注意的是，某些参数在特定温度和时间条件下（如5秒内5s，t=5s）测量，例如在5s内测得的动态导通电阻值。 - 最大稳态条件下，热耗散功率为125°C/W，建议在指定的温度范围内进行设计。 XP151A13A0MR-VB场效应管凭借其高效的性能、小型封装和环保特性，是电源管理和便携式设备中广泛应用的理想选择。在集成到电路设计时，需仔细考虑其工作温度、电流能力和安全限制。