激光处理下GeSe2非晶半导体薄膜的结构与性能演变

本文主要探讨了GeSe2非晶半导体薄膜在受到514.5纳米氩离子激光辐射后的结构和性能变化。通过X射线衍射分析，研究者揭示了经激光处理后，薄膜的光学吸收边向短波长方向移动的现象。这一现象随着激光强度和照射时间的提升而加剧，并且在经过退火处理后，这种改变是可逆的。红外光谱分析进一步证实了这些变化，显示出激光对薄膜光学性质的显著影响。 扫描电镜分析结果显示，在激光辐射后，薄膜内部出现了微晶的析出，且析出量随激光强度的增强而增加。这表明激光处理不仅改变了薄膜的宏观结构，还可能诱导了微观层面的晶体化过程。这种微晶析出对于理解非晶半导体的相变行为和潜在应用至关重要，例如在光存储和光信息处理领域，微晶的出现可能意味着更高的光响应度和更复杂的控制能力。 非晶半导体薄膜，尤其是GeSe2，一直以来都受到科研人员的关注。自从(&')年关于无定形材料光电导性的突破性发现以来，人们对非晶态半导体的认识逐步深入，特别是在G>HH%IJB能带模型的提出后，非晶半导体的研究进入了新的阶段。尽管硫系非晶半导体在光信息存储等领域有着巨大潜力，但由于掺杂和电子器件应用上的挑战，研究人员仍在寻找优化策略以克服这些问题。 这项研究不仅提供了关于GeSe2非晶半导体薄膜激光处理后性能变化的重要数据，也为改进非晶半导体材料的设计和应用提供了关键线索，尤其是在光电子和光存储技术的发展上。未来的研究将着重于如何调控这些微晶结构以优化材料性能，以及探索更多潜在的光致效应，如光致相变和光掺杂效应，以推动相关领域的创新。