2021年海思芯片详解：多电压设计与低功耗技术

本文档主要关注于海思芯片在2021年的相关技术解析和特性讨论。首先，关于数字集成电路（Digital ICs），文档解释了二进制运算的规则，如按位取反操作，例如将4'b1111取反得到4'b0000，以及逻辑运算符“~”和“!”的区别。按位取反 "~" 保持原位长度不变，而逻辑取反 "!A" 对单比特值A来说结果是0或1。 接着，文档涉及了一些时序逻辑电路的概念，如最晚到达/最早到达原则，以及错误处理对动态功耗的影响，指出某些设计可能导致功耗降低。时序电路不具备存储功能，因此不会产生latch（触发器）行为。 状态机的设计基础也在这份文档中提及，强调了输入、输出和状态这三个基本要素的重要性。此外，关于CPU的软复位信号处理，虽然通常需要去毛刺处理，但并不是强制性的步骤。 文档还探讨了编程语言和规范的正确性，例如指出"class"不是SystemVerilog高级别架构（sva）的一部分，某些表达式的优先级问题，以及关于ReferenceModel的建模限制，它不支持带时序功能的模型。 多电压设计（Multi-Vdd）是降低功耗的重要技术，涉及到电平转换器（levelshifter）用于不同电压域间的信号转换，以及电源隔离单元（power isolation cell）来保护信号完整性并解决掉电时的直通电流问题。文中也确认了电源门控的相关挑战和解决方案。 此外，文档中提到了一些编程语法和功能的正确性，比如$write与$display的区别，以及数据的读写权限。形式验证和综合网表及格式文件的生成也是电路设计流程中的关键环节。 最后，关于非易失性存储器（Flash和EFUSE）的特点，它们即使在掉电后也能保持存储的信息。然而，文档中留有一些空白，可能暗示着这部分内容有待进一步填充或详细阐述。 这份文档深入地讨论了海思芯片在2021年的技术细节，涵盖了数字逻辑设计、功耗管理、状态机、编程语言规范、电源管理等多个重要知识点。