模拟电子技术基础习题详解：半导体器件与电路分析

模拟电子技术基础(第四版)习题解答包含了丰富的学习资料，主要针对模拟电子技术的基础概念进行了深入的讲解和练习。以下是部分内容的详细解析： 1. **半导体器件判定题**： - N型半导体通过掺入三价元素（通常会使电子空穴增多，改变载流子类型）可以转变为P型半导体，这是正确的。（√） - N型半导体虽然多子为自由电子，但整体并不带电，带负电的是电子云而非半导体本身，这里表述错误。（×） - PN结在无光照、无外加电压时，由于势垒两侧的扩散电流相等，净电流为零，故正确。（√） - 放大状态下的晶体管，集电极电流主要由多子的漂移和少子的扩散形成，单纯说多子漂移不全面。（×） - 结型场效应管的栅源电压施加反向偏置以建立耗尽层，从而实现高输入电阻的特点，这是正确的。（√） - 耗尽型N沟道MOS管的UGS（栅源电压）大于零时，一般情况下输入电阻会增大，而不是减小，这里表述错误。（×） 2. **选择题与电路计算**： - PN结加正向电压时，空间电荷区会变窄，因为多数载流子增多，抵消了少数载流子的影响。（A） - 稳压管在反向击穿区工作，能提供稳定的电压，所以稳压区是反向击穿状态。（C） - 晶体管放大区工作时，发射结正偏以吸引电子，集电结反偏以收集这些电子，形成放大作用，所以选B。 - 结型管（JFET）和耗尽型MOS管（DMOS）在UGS=0V时能进入恒流区，而NMOS管需要UGS>0V，因此选AC。 3. **稳压管应用问题**： - 图T1.4中的电路，左图中稳压管因为电压过高而击穿，输出电压UO1为6V；右图稳压管未被击穿，UO2等于稳压值5V。 4. **共基放大器分析**： - 图T1.5中的共基放大电路，当Rb=50kΩ时，计算得出集电极电流IC和Uo，Uo约为2V。当晶体管达到临界饱和状态，即Ic接近饱和电流，此时Rb的值可以通过临界饱和条件计算得出，约为45.5kΩ。 5. **MOS管分析**： - 表Tl.6给出了MOS管三个电极的电位和开启电压，通过对比数据可以判断每个MOS管的工作状态，如截止、漏极开路或饱和等，并分析电路特性。 这些题目涵盖了半导体器件性质、PN结、稳压管、晶体管放大区、场效应管工作原理、稳压电路设计以及MOS管的使用分析等多个方面的知识点，对于学习模拟电子技术基础的学生来说，这些问题和答案提供了很好的实践和巩固教材理论的机会。