K9F2808U0C NAND Flash 存储器详细规格解析

"KF2808中文资料是关于三星半导体生产的K9F2808U0C和K9F2816U0C系列NAND Flash存储器的详细文档，涵盖了这些器件的工作模式、电平参数、读写操作说明等关键信息。文档由广州周立功单片机发展有限公司提供，主要介绍了这两款8位和16位NAND Flash存储器的特性和应用。" 在NAND Flash存储器中，K9F2808U0C和K9F2816U0C是两种不同容量的产品。K9F2808U0C具有16M+512K位的8位存储能力，而K9F2816U0C则提供8M+256K位的16位存储。它们都支持8器件和16器件的配置，满足不同应用场景的需求。 在电源电压方面，两款芯片均能在2.7V至3.6V的范围内工作，符合大部分电子设备的标准电源要求。存储器单元阵列的结构确保了数据的稳定存储。其中，8器件的K9F2808U0C包含512+16位的数据寄存器，而16器件的K9F2816U0C则有256+8位的数据寄存器。 在编程和擦除功能上，K9F2808U0C支持8器件的512+16字节自动编程和页编程，以及16K+512字节的块擦除；K9F2816U0C则支持16器件的256+8字节编程和8K+256字节的块擦除。快速的写周期时间（典型值200us）和块擦除时间（典型值2ms）确保了高效的写入和清除操作。 页面读操作是NAND Flash的重要功能，K9F2808U0C支持8器件的512+16字节页面规格，而K9F2816U0C则支持16器件的256+8字节页面规格。页面读取可以实现随机访问，最大速度为10us，串行页面访问的最短时间为50ns。 该系列芯片还具备命令/地址/数据复用的I/O接口，硬件数据保护机制，以及在电源变化时自动关闭编程/擦除的功能，确保了数据的安全性。采用可靠的CMOS浮闸技术，可承受超过100K次的编程/擦除周期，数据保存时间长达10年。 此外，K9F28XXU0C系列提供多种封装选项，如48脚TSOP和WSOP，且部分型号为无铅封装，以满足环保要求。每个封装的引脚间距和尺寸也有详细说明，便于在实际电路设计中选用。 KF2808系列NAND Flash存储器是高性能、高可靠性的存储解决方案，适用于各种需要大量非易失性数据存储的电子设备，如嵌入式系统、数字消费产品、移动通信设备等。通过了解其工作模式和参数，开发者可以更好地设计和优化系统中的数据存储环节。