内存技术进阶:SDRAM详解与Bank概念
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更新于2024-07-18
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本文档是一份针对高级IT专业人士的"高手进阶,终极内存技术指南——完整/进阶版",主要讲解了SDRAM内存的基本概念和技术细节。首先,文章阐述了物理Bank的概念,这是传统内存系统中确保CPU高效工作的关键。物理Bank的位宽与CPU的数据总线位宽相匹配,例如早期的Pentium处理器需要两条72pin的SIMM模组提供足够的32bit位宽,随着技术发展,168pin-SDRAMDIMM的出现满足了64bit的需要。
然而,值得注意的是,物理Bank是SDRAM及其早期内存特有的设计,随着技术的进步,如RDRAM采用通道(Channel)替代,以及Intel E7500等并发式多通道DDR系统的出现,这些旧有的P-Bank概念不再适用。内存芯片本身的位宽也对其性能有直接影响,由于技术限制,单个芯片的位宽通常较小,如台式机市场常见的是8或16bit的芯片。
为了达到与CPU数据总线兼容的P-Bank位宽,需要将多个芯片并联,比如16bit芯片需要4颗来实现64bit的位宽,而8bit芯片则需8颗。P-Bank实际上是一个由多颗内存芯片组成的集合,其容量可灵活调整,但关键在于确保总位宽能满足CPU的需求。
这份指南深入剖析了内存技术的核心原理,包括内存模组设计、物理Bank和芯片位宽的配合,以及如何随着CPU技术的发展进行相应的调整,对于想要深入了解内存技术的读者来说,是一份极其有价值的参考资料。
2020-03-22 上传
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