2SK1582-VB：SOT23封装低电阻N沟道MOSFET

"2SK1582-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于DC/DC转换器等应用。该器件具备低RDS(ON)特性，当VGS=10V时，RDS(ON)为30mΩ，VGS=20V时，RDS(ON)为33mΩ，并且通过了100%Rg测试，符合RoHS指令要求。" 本文将详细介绍2SK1582-VB MOS管的关键特性、应用领域及主要参数。 **关键特性：** 1. **无卤素**：根据IEC61249-2-21定义，2SK1582-VB是一款无卤素的MOSFET，符合环保标准。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上制造深沟槽结构，实现更小的尺寸和更低的导通电阻。 3. **100%Rg测试**：确保每个器件的栅极电阻（Rg）都经过测试，保证了产品的质量和一致性。 4. **RoHS兼容**：符合RoHS指令2002/95/EC，不含特定有害物质。 **应用领域：** 2SK1582-VB主要用于**DC/DC转换器**，其高效能和小型封装适合于电源管理和其他需要高开关速度和低损耗的电路设计。 **产品参数：** - **耐压能力**：额定的漏源电压（VDS）为30V，能够承受的电压波动范围较大。 - **导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(ON)为30mΩ，VGS=20V时，RDS(ON)为33mΩ，这意味着在这些条件下，器件导通时的内阻很小，有利于降低开关损失。 - **电流能力**：连续漏极电流（ID）在25°C时最大可达6.5A，在70°C时降至6.0A，考虑到封装限制，实际应用中需要考虑散热条件。 - **栅极阈值电压**：Vth在1.2~2.2V之间，这意味着在该电压范围内，MOSFET会开始导通。 - **脉冲电流**：脉冲漏极电流（IDM）高达25A，适合短时间大电流的脉冲应用。 - **源漏二极管电流**：连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为1.4A，但受封装和安装条件影响，如表面安装在1"x1"FR4板上，电流会减少。 - **最大功率耗散**：在25°C和70°C时，器件的最大功率耗散分别为1.7W和1.1W，需要考虑散热设计以避免过热。 - **工作和存储温度**：工作结温（TJ）和存储温度（Tstg）范围为-55至150°C，保证了在广泛环境温度下的稳定工作。 **热性能**： - 提供了热阻抗数据，如θJA（结到空气）和θJC（结到外壳），这对于评估器件在不同条件下的散热性能至关重要。 总体来说，2SK1582-VB是一款高性能、小型化、低导通电阻的N-Channel MOSFET，适用于需要高效电源转换和控制的电子设备。在设计电路时，需注意其电流能力和散热管理，以确保器件的可靠运行。