ELM33401CA-VB：P-Channel MOSFET晶体管详细参数与应用

"ELM33401CA-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道MOSFET，适用于SOT23封装。这款MOSFET的主要特性包括低导通电阻、高电压耐受以及小尺寸封装，适合在各种电子设备中作为开关或放大元件使用。" ELM33401CA-VB是一款P-Channel金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其关键参数如下： 1. **导通电阻(RDS(on))**：在VGS = -4.5V时，RDS(on)为57mΩ，这意味着当MOSFET完全开启时，源极到漏极之间的电阻非常低，有利于降低功率损耗。 2. **耐压能力(VDS)**：这款MOSFET能承受的最大漏源电压(VDS)为-20V，表示它可以处理的反向电压水平。 3. **电流能力(ID)**：在25°C时，连续漏极电流(ID)最大为-4A，确保了在正常工作条件下良好的电流承载能力。 4. **阈值电压(Vth)**：Vth为-0.81V，这是使MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。 5. **栅极电荷(Qg)**：Qg典型值为10nC，表示将MOSFET从关闭状态切换到完全开启状态所需的总电荷量。 该器件采用了紧凑的SOT23封装，适合表面贴装，占用空间小，适合在高密度电路板上使用。此外，其热特性包括： - **最大结温(TJ)**：允许的运行和存储温度范围为-55°C到150°C。 - **热阻抗(RthJA)**：最大结温至环境的热阻为100°C/W，这决定了器件在大功率操作下的散热效率。 **特点**： - 低卤素设计，符合环保要求。 - 低RDS(on)提高了效率，减少了发热。 - 高达-20V的漏源电压耐受，适用于多种高压应用。 - 小型SOT23封装，节省空间，便于集成。 ELM33401CA-VB适用于电源管理、开关模式电源、马达驱动以及其他需要高效能和小尺寸MOSFET的应用场景。由于其P-Channel属性，它特别适用于需要在栅极电压低于源极电压时工作的电路，例如在电池供电的系统中作为负载开关。