IRLH5030TRPBF-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET with Low Thermal Resis...

"IRLH5030TRPBF-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，采用DFN8（5x6）封装，适用于隔离式直流/直流转换器等应用。该器件具有TrenchFET®技术、175°C的结温以及低热阻封装，确保了高效能和稳定性。产品特点包括100V的击穿电压、在VGS=10V时低至6毫欧的漏源导通电阻，以及通过100%Rg测试。其绝对最大额定值包括100V的漏源电压、±20V的栅源电压，以及95A的连续漏极电流（在TJ=150°C时）。" IRLH5030TRPBF-VB是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其核心技术是TrenchFET®，这是一种先进的制造工艺，通过在晶体管内部形成沟槽结构来减小导通电阻，从而提高开关速度和效率。这种技术使得IRLH5030TRPBF-VB在高温和高压环境下仍能保持低热阻，降低了热量积累，增强了器件的可靠性。 这款MOSFET的最大特点是其100V的耐压能力，这意味着它可以承受高达100V的漏源电压而不会损坏。同时，它在VGS=10V时的漏源导通电阻（rDS(on)）仅为6毫欧，这在大电流应用中非常关键，因为它直接影响到器件的功耗和发热。MOSFET的连续漏极电流ID在TJ=150°C时可达到95A，而在TJ=70°C时为85A，保证了在不同工作温度下的稳定性能。 IRLH5030TRPBF-VB适合于隔离式直流/直流转换器，这是因为它能在高效率和小体积之间取得平衡，适用于电源管理领域，特别是对空间有限和散热有严格要求的应用。此外，器件还通过了100%的栅极电阻（Rg）测试，确保了门极驱动的可靠性和一致性。 在安全操作方面，IRLH5030TRPBF-VB的绝对最大额定值还包括脉冲漏极电流IDM（250A）、连续源漏二极管电流IS（70A）、单脉冲雪崩电流IAS（250A）和单脉冲雪崩能量EAS（38mJ），以及最大功率耗散PD（100W）。这些参数定义了器件在极端条件下的工作边界，以防止因过载或瞬态事件导致的损坏。 在安装和使用过程中，建议遵循制造商的焊接推荐，如适当的温度和时间控制，以避免对器件造成热应力。IRLH5030TRPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于要求高效率、小型化和耐高温的电源转换系统。