新型808nm大功率单发射腔半导体激光器：高性能与散热优势

"本文介绍了一种新型的大功率单发射腔半导体激光器，其设计采用了F-mount封装，不同于传统的C-mount封装，从而提高了散热性能。在20℃的连续波（CW）工作条件下，该激光器的最大输出功率可达13.3 W，在准连续波（QCW）条件下可达到30.8 W，且在多次实验中未出现光学腔面损伤（COMD）。此外，通过实验测量得到的波长漂移系数为0.278 nm/℃，热阻为3.18 K/W，阈值电流特征温度为135 K，斜率效率特征温度为743 K，显示出其在散热和高功率输出方面的优势。" 本文详细阐述了一种新型的808 nm大功率单发射腔半导体激光器，其主要特点是采用了F-mount封装，这种封装结构相较于常见的C-mount封装，能更有效地散热，有助于提高激光器的工作效率和稳定性。在实际测试中，该激光器在20℃的连续波模式下，能够达到13.3 W的最大功率输出，这表明其在连续工作时具备较高的功率承载能力。而在准连续波模式下，其最大功率更是提升到了30.8 W，显示了其在脉冲工作模式下的出色表现。 进一步的实验数据显示，该激光器的波长漂移系数为0.278 nm/℃，这意味着随着温度的变化，激光器的波长会有一定的漂移，但这个系数相对较小，表明其对环境温度变化的敏感性较低。热阻是衡量激光器散热性能的关键参数，该器件的热阻为3.18 K/W，数值较低，意味着它在处理内部产生的热量方面更为高效，有助于防止过热并延长器件寿命。同时，激光器的阈值电流特征温度为135 K，斜率效率特征温度为743 K，这两个参数反映了激光器在不同温度下的工作特性，数值较高表明其在较宽的温度范围内仍能保持良好的工作效率。 这种新型激光器在散热、高功率输出以及对环境温度的适应性方面表现出显著的优势，对于需要大功率激光源的工业应用，如激光切割、焊接、打标等领域，具有很高的实用价值和研究意义。此外，其独特的封装设计也为未来半导体激光器的设计提供了新的思路和方向。