2SJ486ZU-TL-E-VB：SOT23封装P-Channel MOSFET技术规格

"2SJ486ZU-TL-E-VB是一款由VBsemi生产的采用SOT23封装的P-Channel沟道场效应MOS管，适用于移动计算设备，如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。该器件具有TrenchFET功率MOSFET技术，并且100%通过栅极电阻测试。其主要特性包括低导通电阻、良好的热性能和适用于表面贴装的紧凑尺寸。" 2SJ486ZU-TL-E-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），在SOT23封装下提供，适合在需要小巧尺寸和高效能的电子设备中使用。其关键参数如下： 1. **工作电压**：最大漏源电压（VDS）为-30V，这意味着该MOSFET可以承受的最大电压差为30伏，适合处理负向电压。 2. **导通电阻**：在不同栅极电压（VGS）下，RDS(on)的典型值分别为VGS=-10V时为47毫欧，VGS=-6V时为49毫欧，以及VGS=-4.5V时为54毫欧。较低的导通电阻意味着在导通状态下，电流流过器件时的电压降较小，从而提高效率。 3. **电流能力**：连续漏极电流（ID）在25°C时的最大值为-5.6A，在70°C时下降至-5.1A或-4.3A，具体取决于VGS的值。此外，脉冲漏极电流（IDM）的最大值为-18A，表明它在短时间内能处理较大电流。 4. **源漏二极管电流**：连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-2.1A，脉冲条件下限制更高，确保了在反向偏置时的稳定工作。 5. **最大功率耗散**：在25°C时为2.5W，在70°C时降至1.6W，而不同温度下的最大功率耗散取决于散热条件，如热阻和环境温度。 6. **热性能**：虽然没有给出具体的热阻值，但给出了最大结温（TJ）为150°C，存储温度范围为-55到150°C，说明该MOSFET在宽温范围内有良好的热稳定性。 这款MOSFET特别适用于移动计算应用，如笔记本电脑的电源管理和转换，因为它能在小封装内提供高效的电流控制和良好的热管理。TrenchFET技术使得MOSFET拥有更低的导通电阻和更小的体积，这在便携式设备中尤为重要，因为它减少了功耗和发热量，提高了整体系统的能效。同时，100%的栅极电阻测试确保了器件的可靠性和一致性。