富士FHX35LG低噪声放大器设计与数据查看

该资源是关于使用特定工具（可能是RFEDA.cn平台）设计和分析低噪声放大器（LNA）的教程。主要内容包括元件数据的查看、线性仿真的步骤、电路参数的调整以及性能指标的测试。 在设计低噪声放大器时，首先需要查看元件数据，这可以通过在晶体管符号上右键点击并选择"open subcircuit"来实现。对于富士的FHX35LG这种器件，系统会自动导入其线性S参数和噪声数据。S参数描述了器件对输入信号的响应，而噪声数据则关系到放大器的噪声系数，这对于低噪声放大器的设计至关重要。设计者需要注意，这些参数是可以编辑的，但修改需谨慎，因为可能影响实际电路性能。 设计过程包括几个关键步骤：首先，创建一个名为Device的原理图，并从元件库中选取FHX35LG。接着，需要添加电路图、图表以及测量参数，如S参数（S11、S22表示反射，S21表示增益），稳态参数（如K、B1）和噪声参数（NF、NFmin）。为了确保与外部电路的良好匹配，需要调节输入和输出匹配电路。此外，设定工作频率范围为0.1GHz到20GHz，步长为0.1GHz，这是通过点击"Apply"来完成的。 在分析阶段，测量端口参数如S11和S22用于评估输入和输出的反射。创建图表来显示这些参数随频率的变化，有助于理解放大器在不同频率下的行为。此外，S22参数还用于检查输出端的反射，这对于优化输出匹配至关重要。 低噪声放大器的主要技术指标包括工作频率、增益、噪声系数和稳定性。在这个例子中，LNA被要求在5GHz工作，增益大于10dB，噪声系数小于1.2dB，且没有特殊的稳定性要求。设计者需要确保在所有设定的频率范围内这些指标都能得到满足。 编辑元件符号和添加端口也是设计流程的一部分。元件符号的编辑可能涉及改变接地点类型，选择合适的FET类型来表示3节点的元件。添加端口时，需要设置端口阻抗为50欧姆，这对于大多数射频系统来说是标准值。 总结来说，这个资源涵盖了低噪声放大器设计的基础知识，包括元件选择、数据查看、参数设置、电路仿真和性能评估，这些都是RF系统设计者需要掌握的关键技能。