英飞凌IGC39T65QE高-speed IGBT3芯片技术规格

"IGC39T65QE是英飞凌科技公司(INFINEON Technologies)推出的一款高速IGBT3芯片，适用于各种高频率切换应用。该芯片采用650V Trench & Field Stop技术，属于第三代高速开关系列，具备低饱和电压（VCE(sat)）、低电磁干扰(EMI)、低关断损耗和正温度系数等特性。它已被JEDEC认证，适用于目标应用，如不间断电源、焊接转换器以及高切换频率的转换器。该芯片以6.59x5.91mm²的Die Size封装在saw on foil包封内，最大集电极电流（ICn）为75A。机械参数方面，芯片厚度为70μm，晶圆尺寸为200mm，每片晶圆最多可切割686颗芯片。表面钝化层采用光敏树脂，正面焊盘材料为3200nm AlSiCu，背面金属层为NiAg系统，采用电导性环氧树脂胶和软焊料进行die bond，铝线键合小于500μm，且有0.65mm的拒绝标记。" 本文详细介绍了IGC39T65QE芯片的关键特性和机械参数。首先，这款芯片采用了650V的Trench & Field Stop技术，这是一种先进的半导体制造工艺，能够实现高效能和高耐压，同时降低芯片的漏电流。作为高速IGBT3的第三代产品，它在开关速度上有显著优势，适合在需要快速切换的电路中使用。 低饱和电压(VCE(sat))意味着在高电流操作时，IGBT的导通电阻较低，这将减少功耗并提高工作效率。低EMI特性使得该芯片在运行时产生的电磁干扰较少，有利于系统的稳定性和兼容性。而低关断损耗则表明在开关过程中能量损失较小，进一步提升了系统的能源效率。 正温度系数表明随着温度升高，IGBT的饱和电压会增加，这种特性有助于防止过热情况下的短路风险，增加了系统的安全性。此外，该芯片已通过JEDEC标准认证，确保其适用于特定的应用场景。 在机械参数上，芯片尺寸、焊盘大小、厚度以及晶圆尺寸等数据对于生产、封装和组装过程至关重要。芯片的背面金属层和电导性环氧树脂胶用于连接和保护芯片，而铝线键合尺寸的限制则保证了良好的电气连接和可靠性。 总体来说，IGC39T65QE芯片是专为需要高速切换、低损耗和低EMI的工业应用设计的理想选择，尤其适用于不间断电源、焊接设备和高频转换器等领域。其高效的性能和可靠的结构设计，使其成为这些应用领域的有力解决方案。