ISE-TCAD教程：从工艺到微电子器件仿真实战

在"1.ISE_TCAD_从工艺到器件的仿真示例.pdf"文档中，主要介绍了使用Integrated Systems Engineering (ISE)工具集进行微电子工艺、设备、电路和系统开发、建模和优化的方法。该文档专注于一个具体的实例，即模拟二极管过程和器件的行为。以下是详细的步骤和知识点： 1. **工艺流程介绍**：文档首先概述了二极管工艺流程，包括初始晶圆设置，如N型硅片（掺杂磷，浓度为5e14/cm²，取向为[100])，随后施加二氧化硅(SACOxide)作为绝缘层，以及后续的P+扩散和掺杂(B离子植入，浓度为30K/cm²，掺杂硼，浓度为5e12/cm²，采用T7热处理技术)。 2. **热处理步骤**：描述了P+驱动退火过程，其温度设定为1100℃，持续30分钟，在氮气（3l/min）和氧气（0.5l/min）的混合气氛下进行。 3. **仿真软件使用**：重点介绍如何在不同的操作系统环境下执行GENESIS仿真软件。对于Linux或Unix系统，用户需在提示窗口中输入"GENESISe"命令，而Windows XP用户需要额外安装X-server软件，并通过Exceed看到"GENESIS"窗口。 4. **项目创建与启动**：在GENESIS中，用户需要创建新项目，这涉及到了GUI操作，可能是通过菜单或命令行界面来设置项目的参数和结构。 5. **目标与任务**：文档明确指出了目标，即模拟二极管的正向电流-电压(I-V)特性曲线和二极管的阈值电压(Vt)。这一步可能涉及到器件模型的选择、边界条件的设置和仿真参数的调整。 6. **软件交互指南**：提供了详细的步骤说明，确保用户能够顺利地在各自的平台上运行GENESIS，执行二极管的模拟分析。 这份文档对于那些想要了解如何在实际的集成电路设计过程中应用ISE和GENESIS软件的专业人士具有很高的价值，它不仅展示了具体的操作流程，还强调了理论知识与实践技能的结合。通过学习和实践这些步骤，工程师可以提升他们对器件行为的理解，并优化制造过程。