AP2309GN-HF-VB P-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数
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更新于2024-08-03
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"AP2309GN-HF-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款器件适用于移动计算设备,如笔记本适配器开关、直流直流转换器等应用场景。其主要特点包括采用TrenchFET技术的功率MOSFET,以及100%栅极电阻测试。关键参数包括-30V的源漏电压(VDS),在不同栅极电压下的低导通电阻(RDS(ON)),例如在VGS=10V时为47mΩ,在VGS=20V时会更小。此外,它具有负1V的阈值电压(Vth)。"
AP2309GN-HF-VB MOSFET晶体管是P-Channel沟道类型,这意味着在没有栅极电压或栅极电压低于阈值时,源极和漏极之间是断开的,电流无法流动。该器件的最大连续漏极电流ID在环境温度为25°C时可达到-5.6A,而随着温度升高,这个值会有所下降。在100微秒脉冲条件下,瞬态最大漏极电流IDM可以达到-18A,体现了其在短暂高电流需求时的处理能力。
该MOSFET的栅极源电压VGS的最大值为±20V,这是确保安全操作的重要参数。在VGS=-10V时,其典型RDS(ON)为47mΩ,这表示在该电压下,当晶体管导通时,源极到漏极之间的电阻较低,因此能提供高效的电源切换。更低的RDS(ON)意味着在导通状态下更小的电压降,从而提高效率。
对于热性能,AP2309GN-HF-VB具有一定的最大功率耗散能力。在25°C时,最大功率耗散为2.5W,但随着温度上升,这一数值会降低。其热阻特性包括结壳热阻和外壳到环境的热阻,这些参数直接影响了器件在高功率工作时的散热能力。
在绝对最大额定值方面,源漏电压VDS不能超过-30V,连续漏极电流ID在不同温度下有不同的限制,而源漏二极管的连续电流IS也有相应规定。此外,该器件的工作和储存温度范围为-55°C到150°C,确保了在各种环境条件下的稳定工作。
AP2309GN-HF-VB是一款适用于移动计算设备的高效、小型化的P-Channel MOSFET,其低导通电阻、良好的热性能和紧凑的SOT23封装使其成为电源管理和开关应用的理想选择。
2024-03-14 上传
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