英飞凌 IPP082N10NF2S MOSFET 技术规格书

"IPP082N10NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 这份文档是英飞凌公司（INFINEON）的IPP082N10NF2S芯片的中文规格书手册，详细介绍了这款产品的特性和参数。IPP082N10NF2S是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），特别优化用于各种应用。该芯片的特点包括： 1. **优化广泛应用**：这款芯片设计适用于广泛的电子设备和系统中。 2. **正常水平N沟道**：表明其工作特性适合常见的N沟道MOSFET应用。 3. **100%雪崩测试**：经过严格的雪崩电流测试，确保在过载条件下的安全运行。 4. **无铅电镀**：符合RoHS（有害物质限制）标准，对环境友好。 5. **无卤素**：根据IEC61249-2-21标准，不含有卤素，有利于环保。 关键性能参数如下： - **VDS**（漏源电压最大值）：100V - **RDS(on),max**（最大漏源导通电阻）：8.2毫欧 - **ID**（连续漏电流）：77A - **Qoss**（关断电荷）：38纳库仑 - **QG**（栅极电荷）：28纳库仑 该手册还提供了封装信息，IPP082N10NF2S采用PG-TO220-3封装，封装标记为082N10NS。手册内容涵盖了描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图、封装轮廓、修订历史、商标信息以及免责声明等，为设计者和工程师提供了全面的技术参考。 此MOSFET的电气特性图和热特性对于评估其在实际电路中的性能至关重要，例如开关效率、热稳定性、驱动需求等。而封装信息则有助于在PCB布局时考虑散热和机械安装问题。 IPP082N10NF2S是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高电流、低电阻和良好热管理的电源管理或开关应用。这款芯片满足严格的环保标准，并提供详尽的技术数据，方便工程师在设计过程中做出最佳选择。