0.35um CSMC工艺的1.2V带隙基准电压源设计与测试

"基于硅带隙能量的 1.2 V 基准电压源设计 (2014年)" 本文是一篇发表于2014年的自然科学论文，主要讨论了如何设计一个基于0.35微米CSMC（Central Semiconductor Manufacturing Corporation）工艺的1.2伏特带隙基准电压源。该芯片旨在提供一个不随温度变化的高精度基准电压，对于电子设备的稳定运行至关重要。 带隙基准电压源是一种电路，利用半导体材料的物理特性（如硅的带隙能量）来生成一个稳定的电压参考点。在这个设计中，电路的核心部分包括带隙核心电路、运算放大器和启动电路。带隙核心电路是关键，它通过补偿温度对带隙电压的影响，实现了温度系数的最小化。运算放大器则用于增强信号并提供所需的输出电压稳定性，而启动电路则确保电路能够正确启动并达到稳定状态。 根据论文描述，该芯片在3.3伏特的电源电压下，在-40至80摄氏度的宽温度范围内进行了测试。测试结果表明，输出电压的波动范围非常小，仅为1.2128至1.2175伏特，显示出极高的精度。温度系数为3.22×10^-5°C，这意味着每升高一度，输出电压的变化非常小，仅为输出电压的百万分之三点二二，体现了良好的温度稳定性。 电路的版图设计紧凑，面积为135微米×236微米，整个芯片尺寸为1毫米×1毫米，这使得该基准电压源在空间有限的应用中具有较高的集成度。文章的关键词包括基准电压源、温度系数和基准电压，强调了设计的重点在于实现低温度系数和高精度的电压参考。 这篇论文提供了关于如何利用特定工艺设计高效能、高精度带隙基准电压源的详细信息，对于集成电路设计和半导体技术领域具有重要的理论与实践意义。设计方法和性能指标对于工程师和研究人员在开发类似的电子元件时具有指导价值。