S3C44B0X中文数据手册：内存控制器详解

"S3C44B0X4.pdf 是一份关于S3C44B0X微处理器的中文数据手册，由杭州立泰电子有限公司发布。这份手册详细介绍了S3C44B0X的存储器控制器功能及其配置选项。" S3C44B0X是三星公司设计的一款嵌入式微处理器，其内部集成了一个存储器控制器，为外部存储器操作提供了关键的支持。该控制器的主要特点包括灵活性和可扩展性，能够适应各种不同的存储设备和应用需求。 4.1 概述 S3C44B0X的存储器控制器支持两种内存操作模式：小端模式和大端模式，这可以通过ENDIAN输入引脚来配置。处理器根据此引脚的电平状态（0表示小端，1表示大端）来决定数据存储的顺序。此外，该处理器拥有一个32M字节每bank的地址空间，总计可以支持256MB的存储容量，分为8个bank。每个bank的总线宽度可以编程设置为8/16/32位，提供6个bank用于ROM和SRAM映射，2个bank则用于FP/EDO/SDRAM等高速存储器的映射。每个bank的操作周期都可以独立编程，并可通过外部等待信号来扩展总线周期，以适应不同速度的存储设备。处理器还具备对DRAM和SDRAM的自刷新模式支持，能处理异步和同步DRAM。 4.2 大/小端 大/小端模式是针对处理器如何在内存中存储多字节数据的一种方式。在小端模式中，低字节存储在低地址，高字节存储在高地址；反之，在大端模式中，高字节存储在低地址。S3C44B0X的ENDIAN引脚在复位时会根据上拉或下拉电阻的配置来确定初始模式。 4.3 Bank0总线宽度 Bank0，通常被用作BOOTROM，其数据总线宽度可以根据OM[1:0]引脚的逻辑电平设定，提供了多种宽度选择，如8位、16位或32位，以适应不同类型的启动代码或存储器设备。 手册中还提到了其他寄存器定义，如BWSCON、BANKCON、REFRESH、BANKSIZE和MRSR，这些寄存器是配置和控制存储器控制器的关键部分，但具体内容未在摘要中给出。例如，BWSCON可能用于设置总线宽度，BANKCON可能用于配置bank的具体参数，REFRESH用于设置DRAM刷新计数，而BANKSIZE和MRSR可能用于设定bank的大小和模式。 这份手册对于理解S3C44B0X的存储系统配置和优化至关重要，特别是对于嵌入式系统开发者和硬件工程师，他们需要充分了解如何利用这些特性来设计高效的内存解决方案。