树莓派3B LPDDR2 SDRAM 内存芯片详解

“Raspberry Pi 3B上的内存芯片是EDB8132B4PB-8D-F，这是一款嵌入式低功耗LPDDR2 SDRAM，由其特性及选项来深入理解这款内存芯片。” Raspberry Pi 3B模型所采用的内存芯片是EDB8132B4PB-8D-F，它是一种专为低电压运行设计的LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）同步动态随机存取内存。LPDDR2在保持高性能的同时，大大降低了能耗，使其成为移动设备和嵌入式系统如树莓派的理想选择。 该芯片的核心和I/O电源供应具有超低电压特性，频率范围可达到400MHz，数据传输速率为800Mb/s/pin，这意味着它可以高效地处理高速数据传输任务。4n预取 DDR架构使得数据读写速度更快，8个内部银行允许并发操作，显著提高了多任务处理能力。 此外，该芯片采用双倍数据速率、复用的命令/地址输入，命令在时钟CK_t/CK_c的每个边沿进入。每字节数据都有双向差分数据 strobe (DQS_t/DQS_c)，确保数据传输的精确性。程序化的读取和写入延迟（RL/WL）可以根据系统的具体需求进行调整，支持4、8和16的突发长度，以适应不同类型的存储访问模式。 内存芯片还具备每个银行独立刷新功能，使得在并发操作时仍能保持数据的完整性。内置的自动温度补偿自刷新（ATCSR）功能通过集成的温度传感器实现，可以根据环境温度变化自动调整刷新策略。部分数组自刷新（PASR）则允许在不需要整个内存阵列刷新时节省功率。深功率下降模式（DPD）进一步降低了待机时的功耗。可选择的输出驱动强度（DS）允许用户根据接口需求调整信号强度。时钟停止能力提供了额外的节能选项。 封装方面，EDB8132B4PB-8D-F采用无铅、无卤素的环保FBGA封装，尺寸为12mm x 12mm x 0.8mm，拥有168个焊球。标记信息表示密度/片选为8Gb/2-CS-dual die，组织结构为x32，工作电压为1.8V/1.2V/1.2V，修订版本为4，封装类型为PB，周期时间为2.5ns@RL=6，工作温度范围从-30°C到+85°C。 表1的关键时序参数列出了速度等级与时钟速率的对应关系，这决定了芯片在不同工作条件下的性能表现。这些参数对于系统设计者来说至关重要，因为他们需要确保内存与处理器的时序兼容，以实现最佳的系统性能。 Raspberry Pi 3B中的内存芯片EDB8132B4PB-8D-F是高效、节能且具有高并发处理能力的LPDDR2 SDRAM，这些特性使其成为树莓派等嵌入式系统的理想选择。