SanDick TLC XXL 512Gb BiCS3 Flash规格说明书

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"SanDisk TLC XXL 512Gb BiCS3 SWDFR 512GB3ED3D Toggle Rev1.0 20170630" 这篇文档涉及的是SanDisk公司的一款高级闪存产品,具体是TLC(Triple-Level Cell)XXL型512千兆字节(Gb)的BiCS3(B三维堆叠)闪存芯片。该芯片采用Toggle DDR(Double Data Rate)接口,设计用于高速数据传输。文档的发布日期为2017年6月30日,版本号为Revision 1.0,型号为SDWFR-512GB3ED3D。 1. **FRN4**:这可能是一个特定的封装或技术代码,但没有足够的上下文来详细解释其含义。通常在半导体行业中,这样的代码可能代表某种封装类型或特定的制造流程。 2. **TLC NAND Flash**:TLC NAND是一种非易失性存储技术,它在一个单元中存储3位数据,相对于SLC(单层次单元)和MLC(多层单元)提供了更高的存储密度,但牺牲了写入速度和耐用性。TLC广泛应用于消费级SSD和移动设备中。 3. **BiCS3**:BiCS(Bit Cost Scaling)是SanDisk/Toshiba开发的一种3D NAND技术,其特征在于垂直堆叠的浮栅单元,以实现更高的存储容量。BiCS3是这一技术的第三代产品,意味着它在前两代的基础上进行了优化,可能包括更密集的单元排列、更快的读写速度和更好的可靠性。 4. **SWDFR**:这个缩写可能指的是某种特定的测试或操作模式,但没有直接的定义。可能与芯片的测试过程或者工作特性有关。 5. **Toggle DDR Interface**:Toggle DDR是NAND闪存的一种接口标准,允许数据在两个时钟周期内传输,从而提高数据传输速率。相比于传统的单数据速率(SDR)接口,Toggle DDR提供更高的带宽,适用于高性能应用。 6. **Pad坐标和定义**:文档中包含的信息可能描述了芯片的物理接口,即焊盘的位置和功能,这对于晶圆测试和封装过程至关重要。这些信息帮助制造商正确地连接和测试芯片,确保其功能正常。 7. **3D Gen3 X3 512 2P Die**:这部分表明这是第三代3D NAND,每个单元存储3位(X3),并且是双面(2-Plane)设计,意味着数据分布在两个独立的平面中,进一步增加了存储容量并优化了性能。 8. **安全性与合规性**:文档开头的警告强调了用户需遵守安全、环境、出口、贸易等相关法规,并且对于任何可能导致财产损失、身体伤害或死亡的应用,客户需自行承担责任。此外,规范可能会变更而不预先通知,用户必须保持更新。 9. **知识产权声明**:文档属于Western Digital Corporation及其关联公司的机密信息,享有版权保护,未经许可不得擅自使用。 这份资料详尽地描述了一款高密度、高性能的3D NAND闪存芯片,包括其技术规格、接口标准和潜在应用,同时强调了使用和合规性的注意事项。对于从事闪存测试、设计和制造的专业人员来说,这是一份极具价值的技术参考资料。