TCAD工艺仿真入门：DECKBUILD与ATHENA实例

TCAD (Technology Computer-Aided Design) 是一种关键的电子设计自动化工具，用于模拟和优化集成电路（IC）的设计过程，特别是在晶体管级（transistor-level）。在本文档中，我们主要关注于 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)、DMOS (双极型DMOS)、CMOS (互补金属氧化物半导体) 和 IGBT (绝缘栅双极型晶体管) 等器件的工艺仿真。 DECKBUILD 是一个集成开发环境（IDE），专为TCAD设计而设计，它有两个主要组成部分：文本编辑窗口和实时输出窗口。文本窗口用于编写和编辑仿真程序，用户可以通过UNIX命令如 `deckbuild –an&` 来交互式地调用ATHENA作为默认的仿真器，这是一个强大的TCAD仿真器。 在DECKBUILD中，用户可以方便地打开和运行预先准备好的ATHENA示例来学习如何操作。例如，文档指导读者如何通过点击菜单“MainControl”并选择“MOSApplicationExamples”来探索MOSFET应用的示范案例。每个示例文件（如mos1ex01.in）都有详细描述，包括所需的软件模块、功能概述、使用的仿真命令和预期的结果展示。 在运行示例时，输入文件会被载入到DECKBUILD的文本窗口，相关文件会自动复制到工作目录中。用户通过点击“run”按钮或右上角的“Loadexample”按钮来执行仿真。整个过程旨在让学习者熟悉如何在DECKBUILD环境中使用TCAD工具进行具体器件的建模和仿真。 工艺模拟完成后，DECKBUILD会自动显示MOS管的结构，这对于理解和评估设计性能至关重要，因为这种可视化帮助工程师检查模型的准确性和合理性。通过这种方式，TCAD仿真不仅提供了设计验证的手段，还极大地提高了集成电路设计的效率和精度。 这份文档深入介绍了TCAD工艺仿真的基础操作，特别是针对MOSFET等常见半导体器件，以及DECKBUILD平台的使用方法，对于从事IC设计的工程师来说，这是必不可少的学习资源。