归一化光谱分布差异法：新型LED阵列结温测量

"用归一化光谱分布差异表征AlGaInP基LED阵列的平均结温" 本文探讨了一种新型的LED阵列平均结温测量方法，该方法基于归一化光谱分布的差异。研究聚焦于AlGaInP基发光二极管（LED）阵列，这种材料广泛应用于照明和显示技术。传统的LED结温测量方法包括中心波长法，但此方法可能存在精度上的局限性。 研究人员通过光谱仪对不同衬底温度和注入功率下的三种LED阵列进行了实验，光谱仪以1nm的间隔采集数据。他们观察到归一化光谱分布随着结温的改变而产生的变化，并分析了这些变化与平均结温之间的关系。结果显示，无论是在改变衬底温度还是调整注入功率的情况下，归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温之间存在显著的线性相关性，且线性度优于中心波长法。 这一发现意味着，利用归一化光谱分布差异作为表征结温的指标，可以提供更准确的结温测量结果。这不仅有助于提高LED性能监控的精确性，还有助于优化散热设计和延长LED的使用寿命。对于LED制造和应用行业来说，这种方法可能代表了一个更高效、更可靠的结温测量工具，能够促进产品的性能优化和可靠性提升。 此外，文章还强调了光谱学在半导体光电子器件研究中的重要性，特别是对于理解和改进LED等发光器件的热管理。归一化光谱分析为理解和表征复杂光电器件的温度响应提供了一种新途径，对于未来研发高效率、低能耗的LED技术具有重要的科学价值和实际意义。 这项工作揭示了归一化光谱分布差异作为一种新颖的、高精度的LED结温测量手段，有可能替代或增强现有的测量技术，推动LED技术的进一步发展。