高温高压下AlGaN肖特基二极管的研制与特性优化

本文档主要探讨了AlGaN肖特基势垒二极管的研发工作，针对高压高温环境下的整流器需求。研究人员采用了金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长高质量的AlGaN/GaN/蓝宝石复合材料，这是一种关键的半导体材料。通过电子束蒸发技术，他们成功地将Au（金）和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极，制作出高性能的AlGaN肖特基二极管。 实验结果显示，该二极管展示了显著的整流特性，具有较高的反向击穿电压，高达95伏，这表明其在高压条件下的稳定性。理想因子为1.93，表明其工作效率较高。经过300℃的1分钟退火处理，器件的正向和反向I-V特性都有了明显改善，进一步提高了其性能。作者还利用变温1-V法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了精确标定，测得其势垒高度高达1.08电子伏，这意味着该二极管在高电压和大电流条件下仍能保持良好的工作状态。 这项研究对于推动高温高压环境下电子器件的发展具有重要意义，特别是对于电力电子学、太阳能电池和LED等领域。AlGaN肖特基二极管的高性能和稳定性使其成为未来这些应用中的重要组件。整个研究过程中，作者不仅关注了器件的制备工艺，还深入分析了其性能参数，展示了对前沿半导体材料和器件技术的深入理解和掌握。这篇论文不仅提供了技术细节，也为相关领域的工程师和技术人员提供了宝贵的参考和指导。