STM32F103 内部Flash模拟EEPROM数据存储

"本文档提供了一段STM32F103系列微控制器使用内部Flash模拟EEPROM的代码示例，由ValerianFan在2014年4月9日编写。主要功能包括Flash的读写操作。" STM32系列微控制器是基于ARM Cortex-M内核的32位微处理器，广泛应用于嵌入式系统设计。在许多应用中，如数据记录、设置存储等，需要一种非易失性存储器（NVM）来在断电后仍能保持数据。STM32内部集成了Flash存储器，可以用来模拟EEPROM的功能，即在不使用外部EEPROM的情况下，实现数据的持久存储。 在给定的代码中，`STM32F103ϵڲFlashд`函数用于写入Flash，而`ReadFlashNBtye`函数用于读取Flash中的数据。这两个函数是实现模拟EEPROM的基础。 `STM32F103ϵڲFlashд`函数未在提供的内容中具体定义，但通常会涉及以下步骤： 1. 检查Flash编程和擦除前提条件是否满足。 2. 选择要写入的Flash地址。 3. 清除或设置特定地址的字节。 4. 等待编程操作完成，检查状态寄存器以确保操作成功。 5. 可能需要执行必要的安全步骤，如锁定Flash以防止意外修改。 `ReadFlashNBtye`函数负责从Flash中读取指定数量的数据。它接受三个参数：要读取的起始地址、存储读取数据的缓冲区和要读取的字节数。该函数首先将起始地址转换为实际的Flash地址（基于STARTADDR的偏移），然后逐字节读取数据并存入缓冲区，直到读取指定数量的字节。 这段代码的一个关键点是，它使用了`__IO`关键字，这是STM32 HAL库中的一个类型定义，指示编译器该变量是输入/输出的，并且可能会被硬件中断修改，因此需要使用内存访问指令进行快速访问。 在实际应用中，为了模拟EEPROM，还需要考虑错误处理、数据完整性检查以及对Flash的寿命管理，因为Flash有有限的擦写次数。此外，通常会使用某种形式的映射或者地址转换，使得用户可以像访问EEPROM一样透明地访问这个模拟的Flash区域，而无需关心实际的物理地址。 STM32通过内部Flash模拟EEPROM是一种节省成本和空间的有效方法，而上述代码片段提供了实现这一功能的基本框架。开发人员可以根据自己的需求，扩展和优化这些基本操作，以满足特定项目的需求。