STM32中LD3320语音识别模块读写调试及仿真分析

本文档主要介绍了在使用STM32平台时，针对LD3320语音识别模块进行SRAM（静态随机存取存储器）实验设计与调试的过程。实验的核心目标是理解SRAM的工作原理，包括存储原理、读写机制，并使用Cadence软件进行相关的电路设计和仿真。 首先，实验要求学生熟悉SRAM的基本结构，它由六个场效应晶体管构成，其中四个CMOS管形成两个交叉耦合的反向器来存储每个比特的信息，而另外两只晶体管作为读写位线控制开关。当存储单元的数据为10时，反向器的状态确保数据被正确锁定。 读操作的关键在于位线预充电和字线的控制，晶体管1和4在读取过程中导通，确保Q点的数据能正确读出。然而，需要注意的是，放电过程中必须控制晶体管15M的分压，防止Q点被拉高导致数据意外改写。通过图三中的等式分析，确定了在放电阶段Q点的电位安全阈值，需要保证单元下拉比CR（充电/放电比）小于1.2，以确保读操作的正确性。 接着，文章展示了用Cadence软件设计的读操作电路原理图（图五）以及仿真结果（图六，CR=1.2）。在仿真中，观察到了位线在1us内预充电的正确行为。图六的结果显示了在设定的CR值下，读操作能够按预期进行。 在写操作中，同样遵循类似的逻辑，需要确保单元上拉比PR（驱动/拉高比）小于1.8，以维持正确的数据写入。虽然文档没有直接提供写操作的原理图或仿真结果，但可以推测这部分内容会涉及类似的分析和控制策略，以保证数据的可靠写入。 通过对比图十一（PR=0.5）和图十二（PR=2）的仿真结果，可以观察到不同上拉比对数据传输的影响，当PR为0.5和1时，波形相似，表明读写功能正常，而PR=2时未能成功写入，验证了理论分析的预测。 总结来说，这个实验不仅涵盖了SRAM的基本工作原理，还深入到了硬件实现层面，通过Cadence软件进行了实际电路设计和性能分析，让学生在实践中加深对SRAM的理解，并学会了如何优化电路设计以提高数据处理的准确性。