GD25Q127C: 128M-bit SPI Dual/Quad Serial Flash with High-Speed D...
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更新于2024-07-19
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"GD25Q127CSI是一款128M位的串行闪存,支持标准的串行外设接口(SPI)以及双通道/四通道SPI:串行时钟、片选、串行数据输入/输出0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#/RESET#)。其双通道I/O数据传输速度可达208Mbits/s,而四通道I/O及四路输出数据传输速度高达416Mbits/s。"
GD25Q127C是一款由GigaDevice公司生产的高性能串行闪存芯片,特别适用于需要高速数据传输的应用场景。该芯片的工作电压为3.3V,并且具有统一扇区的内存组织结构,这使得数据管理和存储更加高效。
在内存组织方面,GD25Q127C分为多个扇区,每个扇区的大小根据需要可以是不同的,便于实现灵活的数据存储和擦除操作。此外,该芯片支持多种操作模式,包括单线、双线、四线模式,以适应不同速度和接口配置的需求。
设备操作涵盖了一系列命令,包括写使能(WREN)、写禁止(WRDI)、写使能非易失性状态寄存器(50H)、读状态寄存器(RDSR)、写状态寄存器(WRSR)、读取数据字节(READ)、高速读取数据字节(FASTREAD)、双输出快速读取(3BH)、四输出快速读取(6BH)、双I/O快速读取(BBH)、四I/O快速读取(EBH)、四I/O字快速读取(E7H)、设置突发带包装(77H)、页编程(PP)、四通道页编程(32H)、扇区擦除(SE)、32KB块擦除(BE)、64KB块擦除(BE)、全芯片擦除(CE)以及深电源关闭(DP)等。
这些命令允许用户对芯片进行读写、保护、擦除等基本操作,其中写使能和写禁止命令用于控制数据写入的权限,状态寄存器则用于监控设备的状态。快速读取命令提高了数据读取效率,而页编程和扇区/块擦除命令则允许用户以更高效的方式更新或清除存储内容。深电源关闭模式则有助于降低芯片的功耗,延长电池寿命。
GD25Q127C是一款高密度、高速度、低功耗的串行闪存,适合于嵌入式系统、物联网设备、通信模块等应用场景,提供高效且可靠的数据存储解决方案。其丰富的功能和操作模式使其能够适应各种复杂的设计需求。
2023-07-11 上传
2023-09-02 上传
2023-09-02 上传
2023-06-03 上传
2018-12-06 上传
2019-07-31 上传
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