FDS4935A-NL&19-VB：双P沟道30V MOSFET适用于电源开关

"FDS4935A-NL&19-VB是一款双P沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源开关应用，如笔记本电脑、台式机和游戏站。该器件具有无卤素、沟槽场效应晶体管技术以及100%UIS测试的特性。其关键参数包括30V的额定漏源电压（VDS）、低阻抗（RDS(on)在-10V时为0.02Ω，在-4.5V时为0.028Ω）、小栅极电荷（Qg在25°C时为15nC）以及不同温度下的连续漏极电流（ID）。" FDS4935A-NL&19-VB是一种由VBsemi生产的双P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用SOP8小型表面贴装封装，设计紧凑，适合空间有限的应用。这款MOSFET的最大特点是无卤素，符合环保标准，且采用了沟槽FET技术，这种技术可以提高器件的性能并降低导通电阻，从而在高频率下提供更好的开关效率。 在功能上，FDS4935A-NL&19-VB特别适用于负载开关应用，例如在笔记本电脑、台式机和游戏站等电子设备中，作为电源管理的一部分。它能有效控制电流流动，确保系统的稳定运行。此外，该器件经过了100%的UIS（Under-Voltage Lockout）测试，确保了在异常电压条件下的安全性和可靠性。 在电气特性方面，FDS4935A-NL&19-VB的最大漏源电压VDS为-30V，这意味着它可以承受高达30V的反向电压。它的RDS(on)非常低，当栅极源电压VGS分别为-10V和-4.5V时，对应的RDS(on)分别为0.02Ω和0.028Ω，这使得在导通状态下流过器件的电流损失减少，提高了系统效率。栅极电荷Qg在25°C时典型值仅为15nC，表明快速开关特性。 此外，该MOSFET的连续漏极电流ID随温度变化，25°C时可达到-8.3A，而70°C时则降低至-7.9A。脉冲漏极电流IDM最高可达-32A，而连续源漏二极管电流IS在25°C时为-2.0A。在安全操作范围内，最大功率耗散PD在25°C和70°C时分别为5.0W和2.5W。器件的热特性包括结壳热阻和结温范围，确保了在不同工作环境下的稳定散热。 FDS4935A-NL&19-VB是一款高性能、低功耗的P沟道MOSFET，适用于需要高效电源管理和高可靠性的电子设备。其优秀的电气特性和紧凑的封装设计使其成为电源开关应用的理想选择。