TOSHIBA 67Mbit PSRAM TC51WHM616AXBN65：高速低功耗4MB 16位存储器

本文档是关于东芝(TOSHIBA) TC51WHM616AXBN65的一款高性能、低功耗的67,108,864位伪静态随机存取存储器(PSRAM)芯片技术规格说明书。这款内存的核心特点是4,194,304个字节（每个字由16位组成），采用东芝的CMOS技术和先进的电路设计，提供了高密度、高速度和低功耗特性。 首先，TC51WHM616AXBN65的访问时间参数非常关键。它支持不同的读写操作时间，包括CE1 Access Time（典型值为65ns和70ns）、OE Access Time（25ns和25ns）以及Page Access Time（30ns和30ns）。这些时间参数对于确保数据传输速度和系统响应速度至关重要，尤其是在对速度敏感的嵌入式系统或实时应用中。 其次，该存储器采用了P-TFBGA48-0811-0.75BZ封装，这是一种小型化的封装形式，重量约为gtyp.，有助于减小电路板占用空间并提高集成度。作为一款CMOS动态随机存取存储器，但它模拟了静态RAM的行为，使得在控制方面更为灵活，仅通过CE1（ Chip Enable Line 1）、OE（Output Enable）和WE（Write Enable）信号即可实现异步操作。 重要的是，TC51WHM616AXBN65支持单电源供电，电压范围为2.6V至3.3V，这使得它兼容标准的TTL输入和输出，降低了系统设计的复杂性。此外，它还具备深度休眠模式，即使在低功耗状态下，也能保持记忆单元数据的完整性，这对于电池续航能力有限的设备尤其有利。 在操作模式上，该PSRAM支持页操作，一次能够读取或写入8个字，提高了数据处理的效率。这种页大小设计适合处理大规模数据的快速访问，对于图形处理、游戏、视频处理等需要频繁数据交换的应用场景来说，性能优越。 TOSHIBA TC51WHM616AXBN65是一款高效能、低功耗的内存解决方案，适用于需要高速、高密度存储和灵活控制的现代电子设备，尤其在嵌入式系统和工业控制领域有广泛应用潜力。