基于场屏蔽分析的高速uni-traveling-carrierphotodiode饱和特性研究

0 下载量 200 浏览量 更新于2024-08-27 收藏 520KB PDF 举报
"研究高速uni-traveling-carrier光二极管饱和特性的Field Screening分析" 基于Field Screening分析的高速uni-traveling-carrier光二极管饱和特性研究是当前半导体光电子领域的热点话题之一。该研究通过对InGaAs/InP高饱和光二极管的fabrication和测试,探讨了其饱和特性,并对其电场分布进行了详细分析。 首先,研究者设计并fabricated了一种新的高饱和光二极管结构,即背照式mesa-结构InGaAs/InP高饱和光二极管。该结构能够提供高达0.83 A/W的responsivity和高达275 mA的直流饱和电流。同时,该结构还能够提供高达20.1 dBm的输出射频功率。 其次,研究者对该光二极管的饱和特性进行了详细分析。通过对电场分布的分析,研究者发现该光二极管的饱和特性主要取决于电场分布的不均匀性。同时,研究者还发现该光二极管的饱和特性也受到电流密度和温度的影响。 此外,研究者还对该光二极管的频率响应特性进行了研究。结果表明,该光二极管能够提供高达9 GHz的3 dB截止频率和高达100 mA的1 dB压缩点。这使得该光二极管非常适合高速数据传输和微波通信应用。 本研究结果表明了基于Field Screening分析的高饱和光二极管的饱和特性研究对于高速数据传输和微波通信应用具有重要的意义。该研究结果为高速数据传输和微波通信应用提供了有价值的参考。 关键词:uni-traveling-carrier光二极管、饱和特性、Field Screening分析、高速数据传输、微波通信。 知识点: * uni-traveling-carrier光二极管是一种高速光二极管结构,能够提供高达0.83 A/W的responsivity和高达275 mA的直流饱和电流。 * Field Screening分析是一种常用的电场分布分析方法,能够用于研究高饱和光二极管的饱和特性。 * 高速数据传输和微波通信应用需要高速光二极管,基于Field Screening分析的高饱和光二极管研究结果为这些应用提供了有价值的参考。 * 电场分布的不均匀性是影响高饱和光二极管饱和特性的主要因素。 * 高饱和光二极管的饱和特性也受到电流密度和温度的影响。