DDR2 SDRAM设备操作时序图解
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"三星公司提供的DDR2标准命令与操作时序描述文件,涵盖了DDR2 SDRAM设备的操作状态、时序图以及简化的状态转换图,旨在详细解释DDR2内存的工作流程。"
DDR2 SDRAM(Double Data Rate Second Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory)是一种高速同步动态随机存取存储器,其设计目标是提高数据传输速率和系统性能。DDR2通过在每个时钟周期的上升沿和下降沿都传输数据,相比于DDR1实现了数据传输速率的翻倍。
**设备操作与时序图**
DDR2 SDRAM的操作主要包括以下几个步骤:
1. **自我空闲(Self Idle)**: 设备处于非活动状态,等待命令输入。
2. **设置(Setting)**: 包括OCD(On-Chip Driver)校准,这是为了确保数据线驱动器的输出电平适应系统的需求。
3. **EMRS(Extended Mode Register Set)**: 用于设置模式寄存器,这些寄存器包含了关于内存模块配置的参数,如CAS延迟等。
4. **银行预充(Bank Precharging)**: 所有银行关闭,准备新的操作。
5. **激活(Activate, ACT)**: 选择一个银行并设置行地址,允许读写操作。
6. **RDA(Read Address)**: 读取地址,启动读取操作。
7. **读取(Read)**: 从选定的行地址获取数据。
8. **CKEL(CK Low, enter Power Down)**: 降低CKE(Clock Enable)信号,进入低功耗状态。
9. **(E)MRS**: 可能是基本的MRS或扩展的MRS,用于更新或初始化模式寄存器。
10. **CKEH(CK High, exit Power Down, exit Self Refresh)**: 提升CKE信号,退出低功耗或自刷新状态。
11. **写入(Write, WRA)**: 写入地址,启动写入操作,可能带有自动预充功能。
12. **PR(Precharge)**: 预充所有银行,准备下一轮操作。
13. **RFA(Read with Autoprecharge)**: 自动预充读取,读取后自动预充银行。
14. **WRA(Write with Autoprecharge)**: 自动预充写入,写入后自动预充银行。
15. **刷新(REF)**: 刷新操作,确保数据不会丢失,DDR2 SDRAM通常每3.9us刷新一次。
16. **SRF(Enter Self Refresh)**: 进入自刷新模式,保持数据的同时降低功耗。
**简化状态转换图**
该图展示了DDR2 SDRAM从所有银行预充状态开始,如何通过不同的命令转换到激活、读取、写入、预充和自刷新状态。注意,这个图不是详尽无遗的,它主要描绘了可能的状态转换路径,而不是每一个可能的细节。例如,在涉及多银行操作时,情况可能会更复杂。
在DDR2 SDRAM中,命令序列的正确执行至关重要,例如,激活操作后必须遵循预充或读/写操作,而不能直接回到自我空闲状态。此外,CKE信号的高低控制着设备的活动状态,当CKE为低时,设备进入低功耗或自刷新状态,CKE为高则恢复活动。
DDR2 SDRAM的操作涉及到复杂的时序和状态转换,通过精确的命令控制实现高效的数据读写和电源管理。理解和掌握这些时序有助于优化系统设计,提高系统的稳定性和性能。
2020-02-24 上传
2021-08-12 上传
2023-05-24 上传
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2023-06-08 上传
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