英飞凌IDD03SG60C硅碳肖特基二极管：中文规格书解析

"IDD03SG60C是英飞凌（INFINEON）推出的第三代thinQ!TMSiC肖特基二极管，这款器件以其创新的硅碳（Silicon Carbide）半导体材料为特点，具有卓越的开关性能。这款二极管没有反向恢复或正向恢复现象，其开关行为不依赖于温度，这意味着在各种工作环境下，它都能保持稳定。此外，IDD03SG60C具备强大的浪涌电流承受能力，并符合无铅和RoHS标准。根据JEDEC的标准，该器件已针对目标应用进行了资格认证。 IDD03SG60C特别适用于需要快速切换的应用，例如： - 最大额定值： - 连续正向电流(IF)：在温度低于130°C时，最大值为3A。 - 冲击正向电流(IF,SM)：在25°C时，10毫秒内的最大值为11.5A；在150°C时，10毫秒内的最大值为9.7A。 - 非重复峰值正向电流(IF,max)：在25°C且脉宽为10微秒时，最大值为100A。 - ∫i²dt：在25°C时，10毫秒内的能量损耗为0.61A²s；在150°C时，10毫秒内的能量损耗为0.44A²s。 - 反复峰值反向电压(VRRM)：在结温为25°C时，最大值为600V。 - 二极管dv/dt耐受性(dv/dt)：在0到480V的电压范围内，最大值为50V/ns。 - 功率损耗(Ptot)：在25°C时，最大值为38W。 - 工作和储存温度(Tj, Tstg)：范围为-55°C至175°C。 - 锡焊温度，回流焊接(max)(Tsold)：按照MSL1标准，最大值为260°C。 - 其他特性： - 击穿电压在20mA下进行测试。 - 优化用于高温操作。 - 最低的品质因数QC/IF，这意味着在相同电流下，它的热损耗更低。 - i²t值表示瞬态过载能力，确保了器件在过载条件下的耐用性。 IDD03SG60C是一款高性能、高耐受性的硅碳肖特基二极管，特别适合需要高速切换、高温工作环境和高浪涌电流承受能力的应用。其独特的特性使得它在电力电子、电源转换、电机控制等领域具有广泛的应用前景。"