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MOC3083M-D.PDF:800V峰值零交叉双向可控硅驱动器
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更新于2024-08-13
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MOC3083M-D是一款由SemiconductorComponentsIndustries,LLC在2019年9月发布的6针双列直插封装零电压交越双向可控硅驱动光耦合器。这款设备的主要特点是其高度集成的设计,其中包括一个砷化镓红外发光二极管与一个硅基单片检测器,后者用于实现零电压交越控制功能,以驱动来自240伏交流(AC)线路的功率可控硅,如逻辑系统到各种设备的接口,如固态继电器、工业控制器、电机、电磁阀和家用电器等。 该产品的主要优势在于简化了对240VAC电源的逻辑控制,通过零电压交越技术,有效地减少了传导和辐射的线性噪声,提高了系统的稳定性和可靠性。MOC3083M的最大峰值电压阻断能力高达800V,确保了在高压环境下的安全运行。静态dv/dt特性极为出色,典型值可达1500V/μs,保证了快速响应且不会引起过冲或浪涌。 安全性和符合标准是MOC3083M的重要特性,它已经获得了UL1577认证,适用于1分钟内4,170VAC RMS的环境,同时也符合DIN EN/IEC 60747-5-5标准。这些设备在设计上采用无铅工艺,体现了对环保法规的积极响应。 MOC3083M的应用场景广泛,包括电磁阀和阀门控制、照明控制系统、静态电源开关、交流电机启动器、温度控制系统以及电磁接触器等,这些都是它能够在工业自动化和消费电子设备中发挥关键作用的领域。 总结来说,MOC3083M-D是一款高效、低噪声、安全可靠的双向可控硅驱动器,适用于需要在240VAC环境下进行精确控制的多种应用场景,其集成设计和卓越性能使其成为现代电力管理和控制系统的理想选择。
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MOC3081M, MOC3082M, MOC3083M
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3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameters Value Unit
Total Device
T
STG
Storage Temperature −40 to 150 °C
T
OPR
Operating Temperature −40 to 85 °C
T
J
Junction Temperature Range −40 to 100 °C
T
SOL
Lead Solder Temperature 260 for 10 seconds °C
P
D
Total Device Power Dissipation at 25°C Ambient 250 mW
Derate Above 25°C 2.94 mW/°C
Emitter
I
F
Continuous Forward Current 60 mA
V
R
Reverse Voltage 6 V
P
D
Total Power Dissipation at 25°C Ambient 120 mW
Derate Above 25°C 1.41 mW/°C
Detector
V
DRM
Off−State Output Terminal Voltage
800
V
I
TSM
Peak Non−Repetitive Surge Current
(Single Cycle 60 Hz Sine Wave)
1 A
P
D
Total Power Dissipation at 25°C Ambient 150 mW
Derate Above 25°C 1.76 mW/°C
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
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