CSD15571Q2：20V NexFET 功率MOSFET技术规格

"CSD15571Q2是一款20V N沟道 NexFET功率MOSFET，特点是超低的Qg和Qgd，低热阻，耐雪崩，无铅端子电镀，符合RoHS和 halogen-free标准，采用2mm x 2mm SON封装，适用于负载开关应用，如存储设备、平板电脑和手持设备。" CSD15571Q2是一款由Texas Instruments（TI）推出的高性能20V N沟道MOSFET，设计用于高效能和低功耗的应用。这款器件的主要特点在于其出色的电气特性： 1. **超低的Qg和Qgd**：Qg代表门极总电荷，是衡量MOSFET开关速度的一个关键参数，数值越小，开关损耗越小，效率越高。Qgd则是门极到漏极的电荷，同样影响开关性能。CSD15571Q2的Qg低至2.5nC，Qgd仅为0.66nC，这样的低值意味着在高速开关操作时能显著减少能量损失。 2. **低热阻**：低热阻（RθJA）意味着器件在工作时能更快地散热，从而降低热应力，提高系统可靠性。这使得CSD15571Q2适合在高温环境下或高功率密度的设计中使用。 3. **耐雪崩能力**：CSD15571Q2通过了雪崩测试，可以在承受高于额定电压的瞬态过压下而不损坏，增加了其在恶劣条件下的工作安全性。 4. **符合环保标准**：该器件符合RoHS和halogen-free标准，无铅端子电镀，符合当前对环保电子产品的需求。 5. **2mm x 2mm SON封装**：这种小型化封装使得CSD15571Q2非常适合空间有限的电路板设计，特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等应用中。 6. **优化的负载开关应用**：由于其低RDS(on)（栅极电压VGS=10V时为12mΩ，VGS=4.5V时为16mΩ），CSD15571Q2在电源管理中作为负载开关非常有效，特别是在电池供电的设备中，可以实现高效开关控制并降低静态电流损耗。 7. **订购信息**：CSD15571Q2以7英寸的卷带式塑料包装进行发货，每卷3000个，适合自动化生产线的装配。 CSD15571Q2是一款针对高效能、低能耗和紧凑尺寸要求的电子设备设计的先进MOSFET，尤其适用于存储设备、平板电脑、手持设备等领域的负载开关应用。它的高性能特性和环保属性使其成为现代电子设计中的理想选择。